资源简介 (共51张PPT)无 机 化 学第八章 配位化合物第二节配合物的化学键理论第八章 配位化合物8.2 配位化合物的化学键理论是指配合物中的形成体与配体之间的化学键目前有以下几种理论:(1)价键理论(VBT)(2)晶体场理论(CFT)(3)分子轨道理论(MOT)(4)配位场理论(LFT)配合物中的化学键8.2 配位化合物的化学键理论8-2-1 价键理论形成体的杂化轨道与配位原子的孤电子对的原子轨道成键, 形成 配位键,即M←L形成体价层电子构型 杂化轨道类型配合物的几何构型和配位键的键型基本要点8.2 配位化合物的化学键理论1. 配合物的几何构型和配位键键型几何构型由于形成体的杂化轨道具有一定的伸展方向,使形成的配合物具有一定的几何构型8-2-1 价键理论轨道杂化类型与配位个体的几何构型配位数 杂化类型 几何构型 实例2 sp 直线形 [Hg(NH3)2]2+34568.2 配位化合物的化学键理论8-2-1 价键理论2NH3[Hg(NH3)2]2+Hg2+价层电子结构为5d 6s 6p5dsp[Hg(NH3)2]2+——直线形NH3 Hg2+ NH38.2 配位化合物的化学键理论配位数 杂化类型 几何构型 实例2 sp 直线形 [Hg(NH3)2]2+3 sp2 等边三角形 [CuCl3]2-456轨道杂化类型与配位个体的几何构型8.2 配位化合物的化学键理论[CuCl3]2-——正三角形Cu+价层电子结构为3d 4s 4p3Cl-[CuCl3]2-3dsp2Cl-Cl-Cl-Cu+8.2 配位化合物的化学键理论配位数 杂化类型 几何构型 实例2 sp 直线形 [Hg(NH3)2]2+3 sp2 等边三角形 [CuCl3]2-4 sp3 正四面体形 [Ni(NH3)4]2+dsp2 正方形 [Ni(CN)4]2-568.2 配位化合物的化学键理论3dsp34NH3Ni2+价层电子结构为3d 4s 4p[Ni(NH3)4]2+[Ni(NH3)4]2+—— 正四面体[Ni(CN)4]2-4CN-Ni2+价层电子结构为3d 4s 4p[Ni(CN)4]2-—— 正方形3ddsp28.2 配位化合物的化学键理论配位数 杂化类型 几何构型 实例2 sp 直线形 [Hg(NH3)2]2+3 sp2 等边三角形 [CuCl3]2-4 sp3 正四面体形 [Ni(NH3)4]2+dsp2 正方形 [Ni(CN)4]2-5 dsp3 三角双锥形 [Fe(CO)5]68.2 配位化合物的化学键理论3ddsp35COFe价层电子结构为3d 4s 4p[Fe(CO)5][Fe(CO)5]—— 三角双锥体8.2 配位化合物的化学键理论配位数 杂化类型 几何构型 实例2 sp 直线形 [Hg(NH3)2]2+3 sp2 等边三角形 [CuCl3]2-4 sp3 正四面体形 [Ni(NH3)4]2+dsp2 正方形 [Ni(CN)4]2-5 dsp3 三角双锥形 [Fe(CO)5]6 sp3d2 正八面体形 [CoF6]3-d2sp3 [Co(CN)6]3-8.2 配位化合物的化学键理论6F-[CoF6]3-sp3d23d[CoF6]3-—— 正八面体Co3+价层电子结构为3d 4s 4p 4d3dd2sp3[Co(CN)6]3-—— 正八面体8.2 配位化合物的化学键理论配位键类型——内轨配键、外轨配键内轨配键:由次外层(n-1)d与最外层ns、np轨道杂化所形成的配位键由内轨配键形成的配合物---内轨型配合物如 [Fe(CN)6]3-、[Co(NH3)6]3+、[Ni(CN)4]2-外轨配键:全部由最外层ns、np、nd轨道杂化所形成的配位键由外轨配键形成的配合物---外轨型配合物如 [FeF6]3-、[Co(NH3)6]2+、[Ni(NH3)4]2+8.2 配位化合物的化学键理论配位键类型——内轨配键、外轨配键影响因素:中心离子的电子构型离子的电子构型 形成配合物类型 实例d10 外轨型 Cu+、Ag+、Zn2+d8 大多数为内轨型 Ni2+、Pt2+、 Pd2+d4~d7 内轨型、外轨型 Fe3+、Co2+8.2 配位化合物的化学键理论配位键类型——内轨配键、外轨配键影响因素:中心离子的电子构型中心离子的电荷电荷增多,易形成内轨型配合物[Co(NH3)6]2+ 外轨型配合物[Co(NH3)6]3+ 内轨型配合物中心离子的电荷电荷增多,易形成内轨型配合物中心离子的电子构型中心离子的电荷电荷增多,易形成内轨型配合物8.2 配位化合物的化学键理论配位键类型——内轨配键、外轨配键影响因素:配位原子电负性电负性 易形成配合物类型 实例大 外轨型 F、Cl、O小 内轨型 C(CN-、CO)中心离子的电子构型中心离子的电子构型中心离子的电荷8.2 配位化合物的化学键理论配位键类型——内轨配键、外轨配键中心原子或离子与电负性较大的配位原子,形成外轨配键,这种配位键,离子性成分较大,又称为电价配键。中心原子或离子与电负性较小的配位原子,形成内轨配键。这种配位键, 离子性成分较小,共价键成分较大,又称共价配键。8.2 配位化合物的化学键理论2. 配合物的稳定性、磁性与键型关系1031. 3内轨型dsp2[Ni(CN)4]2 107. 96外轨型sp3[Ni(NH3)4]2+内轨型外轨型配键类型10421014Kfd2sp3sp3d2杂化轨道[Fe(CN)6]3 [FeF6]3-同一中心离子形成相同配位数的配离子, 稳定性: 内轨型 > 外轨型稳定性8.2 配位化合物的化学键理论[Ni(NH3)4]2+ [Ni(CN)4]2 Ni2+的d电子构型杂化轨道配键类型未成对电子数磁性 /B.M. 2.83 0d8sp3 dsp2外轨型 内轨型2 0顺磁性 反磁性磁性 =√n(n+2)— 磁矩,单位为波尔磁子, 符号 B.M.n — 未成对电子数8.2 配位化合物的化学键理论n(未成对电子数) 0 1 2 3 4 5 (理)/B.M. 0 1.73 2.83 3.87 4.90 5.92[FeF6]3- [Fe(CN)6]3 /B.M. 5.90 2.0n(未成对电子数)Fe3+的d电子构型杂化轨道配键类型5 1d5sp3d2 d2sp3外轨型 内轨型 =√n(n+2)8.2 配位化合物的化学键理论价键理论的优缺点优点:简单明了,易于理解和接受,可以解释配离子的几何构型及某些化学性质和磁性等缺陷:不能定量地说明配合物的稳定性,也不能解释配离子的颜色等价键理论的优缺点8.2 配位化合物的化学键理论8-2-2 晶体场理论出发点:静电理论中心离子和配体看作点电荷,其相互作用看作离子晶体中阳、阴离子之间静电相互吸引作用,配体间相互排斥。考虑了带负电的配体对中心离子最外层的d电子的排斥作用。把配体对中心离子产生的静电场称为晶体场。8.2 配位化合物的化学键理论8-2-2 晶体场理论1. 晶体场理论的基本要点中心离子和配体之间的相互作用看作离子晶体中阳、阴离子之间(或离子与偶极分子之间)的静电作用;中心离子的5个能量相同的d轨道受周围配体负电场的不同程度的排斥作用,发生能级分裂,有的轨道能量高,有的低;由于d轨道的能级分裂,d轨道的电子需重新分布,使体系能量降低,即给配合物带来了额外的稳定化能。8.2 配位化合物的化学键理论在带负电荷均匀球形场的作用下,d轨道能量均升高相同值, 能级不发生分裂在八面体配体负电场(八面体场)的作用下, d轨道能级发生分裂E0E自由离子无外电场作用下的d轨道Edxy= Edxz= Edyz= Edx2-y2= Edz2egt2g八面体场Es球形场中8-2-2 晶体场理论2. 正八面体场中d轨道的能级分裂8.2 配位化合物的化学键理论8.2 配位化合物的化学键理论该二轨道处于和配体迎头相碰的位置,其电子受到静电斥力较大,能量升高E0E自由离子Es球形场中eg八面体场dx2-y2 dz2t2gdz22. 正八面体场中d轨道的能级分裂8.2 配位化合物的化学键理论该三轨道插在配体的空隙中间,其电子受到静电斥力较小,能量比前二轨道低E0E自由离子Es球形场中egt2g八面体场dx2-y2 dz2dxy dxz dyz8.2 配位化合物的化学键理论3. 分裂能及其影响因素中心离子d轨道能级分裂后,最高能级和最低能级之差。晶体场分裂能 o=Eeg - Et2gE0E自由离子egt2g八面体场Es球形场中△o8-2-2 晶体场理论8.2 配位化合物的化学键理论E0E自由离子 球形场 弱八面体场 强八面体场t2gegdx2-y2 dz2dxy dxz dyz△oEsdx2-y2 dz2dxy dxz dyz△ o配位场越强,d轨道能级分裂程度越大不同构型的配合物,中心离子d轨道能级分裂情况不同注意3. 分裂能及其影响因素8.2 配位化合物的化学键理论影响分裂能的因素同种配体一般 △o > △t (四面体场)△t = △o49配合物的几何构型8.2 配位化合物的化学键理论影响分裂能的因素配体的性质同一中心离子形成相同构型的配合物,不同的配体, 配体场强不同, △ 不同。配离子 配体 分裂能△o/(kJ·mol-1)[CrCl6]3- Cl- 158[CrF6]3- F- 182[Cr(H2O)6]3+ H2O 208[Cr(NH3)6]3+ NH3 258[Cr(CN)6]3- CN- 314配位体场增强8.2 配位化合物的化学键理论影响分裂能的因素配体的性质——以上称为光谱化学系列I-弱场配体强场配体-2-8.2 配位化合物的化学键理论中心离子的电荷同一过渡元素与相同配体形成配合物时,中心离子电荷越多,其△越大过渡金属离子 Ti2+ V2+ Cr2+ Mn2+ Fe2+ Co2+ Ni2+ Cu2+M2+的d电子数 d2 d3 d4 d5 d6 d7 d8 d9△o/(kJ·mol-1) - 151 166 93 124 111 102 151过渡金属离子 Ti3+ V3+ Cr3+ Mn3+ Fe3+ Co3+ Ni3+ Cu3+M3+的d电子数 d1 d2 d3 d4 d5 d6 d7 d8△o/(kJ·mol-1) 243 211 208 251 164 - - -如 [M(H2O)6]2+和[M(H2O)6]3+的△影响分裂能的因素8.2 配位化合物的化学键理论影响分裂能的因素元素所在周期数相同氧化数、同族过渡元素与相同配体形成配合物时,中心离子所在周期数越大,其△越大周 期 配离子 △o/(kJ·mol-1)四 [Co(NH3)6]3+ 274五 [Rh(NH3)6]3+ 408六 [Ir(NH3)6]3+ 4908.2 配位化合物的化学键理论4.电子成对能和配合物高、低自旋的预测电子在分裂后轨道上的分布: 遵循能量最低原理, 泡利不相容原理和洪德规则如 Cr3+ d3egt2gE八面体场8.2 配位化合物的化学键理论d4 d7构型的离子, d电子分布有高、低自旋两种方式。如 Cr2+ d4[Cr(H2O)6]2+ [Cr(CN)6]4-高自旋 低自旋电子成对能(P)和晶体场分裂能的相对大小△oegt2g△o egt2g△o △o >P, 形成低自旋配合物H2O是弱场 (△o<△ o) CN-是强场8.2 配位化合物的化学键理论弱场 未成对电子数 强场 未成对电子数t2g eg t2g egd1 ↑ 1 ↑ 1d2 ↑ ↑ 2 ↑ ↑ 2d3 ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ 3d4 ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 2d5 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 5 ↑ ↑ ↑ 1d6 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 0d7 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ ↑ 1d8 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2d9 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 1 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 1d10 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 0 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 0↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑d1 d3构型的离子, d电子分布只有一种形式d8 d10构型的离子, d电子分布只有一种形式d4 d7构型的离子, d电子分布有两种形式8.2 配位化合物的化学键理论弱场 未成对电子数 强场 未成对电子数t2g eg t2g egd1 ↑ 1 ↑ 1d2 ↑ ↑ 2 ↑ ↑ 2d3 ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ 3d4 ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 2d5 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 5 ↑ ↑ ↑ 1d6 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 4 ↑ ↑ ↑ 0d7 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 3 ↑ ↑ ↑ ↑ 1d8 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2d9 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 1 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 1d10 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 0 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 0↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑高自旋低自旋8.2 配位化合物的化学键理论如 Fe3+ d5[FeF6]3- [Fe(CN)6]3-高自旋 低自旋F-是弱场△oegt2g△o egt2g分布式: t2g3 eg2 t2g5 eg0CN-是强场8.2 配位化合物的化学键理论5.晶体场稳定化能(CFSE)dx2-y2 dz2△oEsdxy dxz dyz△o52△o53egt2gCFSE: d 电子进入分裂轨道比处于未分裂轨道总能量降低值如 Ti3+ d1 CFSE=1×(- 0.4 △o ) = - 0.4 △o如 Cr3+ d3 CFSE=3×(- 0.4 △o ) = - 1.2△o-Eeg = = +0.6 △oEt2g = △o = - 0.4 △o△o5352+-8.2 配位化合物的化学键理论弱场 CFSE 强场 CFSE构型 未成对电子数 构型 未成对电子数d1 1 -0.4△o 1 -0.4△od2 2 -0.8△o 2 -0.8△od3 3 -1.2△o 3 -1.2△od4 4 -0.6△o 2 -1.6△o +Pd5 5 0.0△o 1 -2.0△o +2Pd6 4 -0.4△o 0 -2.4△o +2Pd7 3 -0.8△o 1 -1.8△o+Pd8 2 -1.2△o 2 -1.2△od9 1 -0.6△o 1 -0.6△od10 0 0.0△o 0 0.0△ot2g1t2g2t2g3t2g3eg1t2g3eg2t2g4eg2t2g5eg2t2g6eg2t2g6eg3t2g6eg4t2g6eg4t2g6eg3t2g6eg2t2g6eg1t2g1t2g2t2g3t2g5t2g4t2g68.2 配位化合物的化学键理论5.晶体场稳定化能(CFSE)CFSE代数值越小,配合物越稳定影响因素:中心离子的d电子数中心离子的电荷、所在周期配位体场的强弱配合物的空间构型8.2 配位化合物的化学键理论6. 晶体场理论的应用推测配合物中心离子d电子分布及自旋状态[CoF6]3- △o = 155 kJ·mol-1, P = 251 kJ·mol-1F-为弱场, △o < P电子排布为 t2g3 eg2高自旋状态△oEsegt2gCo3+(d6)根据μ与n的关系, μ(理) =4.9B.M.[CoF6]3-有4个未成对电子8.2 配位化合物的化学键理论解释配合物颜色当 d 轨道没有填满电子,配合物吸收可见光某一波长光, d电子从t2g 跃迁到eg 轨道(称为d-d 跃迁),配合物呈现其吸收光的互补色6. 晶体场理论的应用egt2g8.2 配位化合物的化学键理论解释配合物颜色能量/(kJ·mol-1) 301 241 199 169 151波长/nm 400 500 600 700 800光区 不可见 可见 不可见被吸收的颜色 紫外区 紫 蓝 绿 黄 橙 红 红外区观察到的颜色 无色 黄绿 黄 紫红 蓝 绿蓝 蓝绿 无色波长(或能量)吸收率如[Ti(H2O)6]3+发生d-d 跃迁, 最大吸收峰在490nm(蓝绿光)处,所以呈紫红色243kJ mol-18.2 配位化合物的化学键理论解释配合物颜色不同金属的水合离子,虽配体相同,但 eg与t2g 的能级差不同,发生d-d跃迁时吸收可见光波长不同,故显不同颜色中心离子d 轨道全空(d0)或全满(d10), 不能发生d-d跃迁,其水合离子为无色如: [Zn(H2O)6]2+、 [Sc(H2O)6]3+注意8.2 配位化合物的化学键理论Eeg=+0.6△o Et2g= - 0.4 △o解释配合物的稳定性如 配体为弱场d2 CFSE=2×(- 0.4 △o )= - 0.8 △od3 CFSE=3×(- 0.4 △o )= - 1.2 △od4 CFSE=3×(- 0.4 △o )+ 0.6 △o = - 0.6 △o∴CFSE d2构型< d3构型> d4构型6. 晶体场理论的应用8.2 配位化合物的化学键理论晶体场理论的优缺点优点能较好地解释配合物的构型、稳定性、磁性、颜色等只考虑了中心离子与配体间的静电作用,未考虑其共价性,所以不能解释某些问题,如光谱化学序列等缺点 展开更多...... 收起↑ 资源预览