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影响沉淀纯度的主要因素
主要因素为共沉淀和后沉淀：
在一定操作条件下，某些物质本身并不能单独析出沉淀。当溶液中一种物质
沉淀时，它便随同生成的沉淀一起析出，这种现象叫共沉淀。共沉淀可由表面吸
附、包藏及生成混晶或固溶体引起。
（一）共沉淀现象
表面吸附共沉淀处于沉淀表面或边、角上的构晶离子，未被带相反电荷的构晶离子饱和，具
有吸附溶液中带相反电荷离子的能力。这种由于沉淀的表面吸附所引起的杂质共
沉淀现象叫做吸附共沉淀。
◎吸附层 沉淀表面吸附过量的构晶离子形成吸附层。
◎扩散层 为了保持电中性，吸附层外面还需要吸引异电荷离子作为抗衡离子。
这些处于较外层的离子结合得较松散，构成扩散层。
◎双电层 吸附层和扩散层共同组成包围着沉淀颗粒表面的双电层。
吸附层吸附规律：优先吸附构晶离子。
◎抗衡离子的吸附规则：a. 与构晶离子形成溶解度、离解度最小的化合物。b. 离
子浓度越大，越易被吸附。c. 离子电荷高的优先吸附。
◎影响吸附量的因素
沉淀的表面积 表面积大，吸附量多。
杂质的浓度 杂质浓度大，吸附量多。
溶液的温度 吸附作用是放热过程，温度升高，吸附量减小。
◎减小吸附杂质的方法
表面吸附发生在沉淀的表面，减少吸附杂质的有效办法是洗涤沉淀。
2. 混晶或固溶体
如果溶液中杂质离子与沉淀构晶离子的半径相近，所形成的晶体结构相似，
常常会生成混晶共沉淀，即沉淀结晶点位上的离子被杂子离子取代。有时杂子离
子并不占据正常的点位，而是位于晶格的空隙中，叫做固溶体。如BaSO4 和
PbSO4，BaSO4 和KMnO4。
◎生成混晶的过程属于化学平衡过程，杂质在溶液中和进入沉淀中的比例决定于
该化学反应的平衡常数。
◎减少或消除混晶生成的最好办法，是将这些杂质事先分离除去。
3. 吸留和包夹
在沉淀过程中，如果沉淀生长太快，表面吸附的杂质还来不及离开沉淀表面
就被随后沉积上来的离子所覆盖， 使杂质或母液被包藏在沉淀内部。这种因为
吸附而留在沉淀内部的共沉淀现象称作包藏。
◎包藏的本质是吸附，包藏对杂质的选择遵循吸附规则
◎减少包藏引起的共沉淀的有效方法是沉淀陈化或重结晶。
（二）后(继)沉淀现象
后沉淀是指一种本来难以析出沉淀的物质，或是形成稳定的过饱和溶液而不
能单独沉淀的物质，在另一种组分沉淀之后被“诱导”而随后也沉淀下来的现象，
而且它们沉淀的量随放置的时间延长而加多。
例如用草酸盐沉淀钙并与镁分离时，由于草酸镁有保留在过饱和溶液里的明
显倾向，草酸钙沉淀上很少有镁共沉淀；若把生成的沉淀与母液放置几小时，就
会有较大量的草酸镁慢慢地沉淀在草酸钙上。
◎后沉淀与沉淀表面的吸附作用有关。
◎相同的晶型有利于后沉淀的发生。
◎后沉淀的特征是随着放置的时间延长而增多；
◎避免或减少后沉淀的主要办法是缩短沉淀和母液共存的时间。
（三）减少沉淀污染的方法
1. 选择适当的分析步骤
例如，测定试样中某少量组分的含量时，不要首先沉淀主要组分，否则由于大
量沉淀的析出，使部分少量组分混入沉淀中，引起测量误差。
选择合适的沉淀剂
例如，选用有机沉淀剂常以减少共沉淀。
改变杂质的存在形式
例如，沉淀BaSO4时，将Fe3＋还原为Fe2＋，或者用EDTA络合Fe3＋，Fe3＋的共沉淀量就大为减少。
4. 改善沉淀条件
根据沉淀的性质，选择合适的溶液浓度、温度、试剂的加入次序和速度，并确
定陈化与否。
5. 再沉淀
将已得到的沉淀过滤后溶解，再进行第二次沉淀。第二次沉淀时，溶液中杂质
的量大为降低，共沉淀和后沉淀减少。再沉淀有利于除去包藏共沉淀杂质。
（四）共沉淀与共沉淀对分析结果的影响
在重量分析中，共沉淀或后沉淀对分析结果的影响程度，随具体情况不同而
不同。 例如BaSO4沉淀中，包藏了BaCl2，对于钡的测定来说， BaCl2的摩尔质量
小于BaSO4的摩尔质量，而使沉淀质量减少， 引入负误差；对于硫的测定来说，
则因为BaCl2是外来的杂质，引起正误差。 如果BaSO4沉淀吸附了Fe2(SO4)3等灼
烧后不能除去的杂质 ，对钡的测定引起正误差；如果BaSO4沉淀包藏有灼烧后
能完全除去的H2SO4， 对钡的测定没有影响，对硫的测定则产生负误差。

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