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浦东新区2024学年度第一学期期末教学质量检测
高三化学试卷
考生注意：
1.试卷满分100分，考试时间60分钟。
2.本考试分设试卷和答题纸。答题前，务必在答题纸上填写学校、姓名、座位号（考
号)，并将核对后的条形码贴在指定位置上。作答必须涂或写在答题纸上，在试卷上作答
-一律不得分。
3,本试卷标注“不定项”的选择题，每小题有1~2个正确选项，只有1个正确选项
的，多选不给分，有2个正确选顶的，漏选1个得一半分，错选不得分：未特别标注的
选择题，每小题只有1个正确选项。
相对原子质量：C-12Si-28
一、蚀刻工艺
蚀刻是半导体制造工艺中的重要步豫，其原理是通过物理或化学方法对材料（如A、
Si等)进行选择性的去除，蚀刻分为干法蚀刻和湿法蚀刻，C2和BC3是干法蚀刻A1时常
用的氯基气体。
1.蚀刻铝时发生了C2和A1的反应，这说明C2具有
A.酸性
B.可然性
C.氧化性
D.漂白性
2.蚀刻铝时的生成物之一A1C可作净水剂，原因是它溶于水能形成A1(OHD3胶体，下列
关于A1(OH)3胶体的认识，错误的是
A.可以产生丁达尔现象
B,可以透过半透膜
C.A(OH)3胶体呈电中性
D.可以吸附水中的悬浮颗粒物
3,已知硼是第2周期IA族的元素，下列关于硼的说法正确的是
。(不定项)
A,非金属性：丽<碳
B,最高价氧化物对应水化物酸性：调<氯
C.原子半径：爾<氨
D.最高正化合价：硼<铝
4.三甲基胺合三氯化硼（化学式为BC,·C3HN)在液晶领域的应用广泛。该化合物中提
供空轨道形成配位键的原子是
A.氢
B.硼
C.碳
D.氮
三甲基胺的结构简式为
一，已知其中碳元素的化合价为一2价，从共用电子对偏
移的角度解释原因。
硝酸和氢急酸是湿法蚀刻单晶硅的重要试剂。
5,某次蚀刻中，产生了相同物质的量的NO和NO2,配平此条件下的化学方程式：
Si+HNO3+_HF—HSif6+NO↑+NO2↑+HO
若反应过程中转移了3mol电子，则理论上可蚀刻S1
8o
实际生产中，收集到的气体体积小于理论值，可能的原因有
(任写一条)。
高三化学试卷第1页共8页
二、碳酸氢铵的制备和性质
我国化工专家侯德榜的“碳化法合成氨流程制碳酸氢铵”的工艺，曾被国家科委审定
为重大发明。该反应的基本原理是：NH3十CO2十H2O=NH4HCO3。
1.合成氨工业中使用的催化剂主要含有Fe2O3和Fe0,这两种化合物都
。(不定顶)
A.是碱性氧化物
B,具有磁性
C.是红棕色固体
D.可被CO还原
2,下列关于合成氨工业的描述中，错误的是
A.可用CH4为原料制取H2
B.实际生产中维持氢氮比为2.8~29
C,合成塔中通过热交换器提高能效
D.通过溶于水的方法分离产生的NH
实验室为模拟生产NH4HCO3,利用右困实验装置制备原料气体。
3.用该装置制备CO2时，若X中固体为大理石，Y中液体为稀盐酸，则反应
的离子方程式为
。为除去CO2中混有的少量HCI,可将混合气体
通过盛有饱和
溶液的洗气瓶。
A.NazCO3
B.NaHCO3
C.NaHSO
D.NaOH
4.用该装置制备NH时，若Y中液体为浓氨水，X中固体为生石灰，解释产
生NH3的原因
为探究NH4HCO3溶液与少量NaOH溶液反应时的原理，明确OH~与NH4、HCO3
反应时，是否存在“先后”关系，进行如下探究。
常温下，取10.00mL0.10mol·L-1的NH4HCO3溶液于锥形瓶中，向其中逐滴浦入
10.00mL0.20mol·L-1的NaOH溶液，记录过程中溶液pH的变化，转换成溶液中HCO、
NH4的浓度，结果如图1。
离子浓度
离子浓度。
/moL-10.10
a点坐标（10.00,9.82X10-3)
moL-10.10
b点坐标(10.00,1.01×10-3)
0.05
c(HCO,
0.05
c(NH,)
c(NH
C(HCO,
5.00
5.00
10.00
NaOH溶液体积/mL
Ba(OH)h溶液体积/mL
图1
图2
5。分析图1中数据，可以得出的实验结论有
(任写两点)。
6.当oH=10.00mL时，测得溶液pH=10.06,此时混合体系中各离子浓度由大到小的
顺序为
0
7.若改用10.00mL0.10mol·L-1的Ba(OH)2濬液代替NaOH溶液完成上述实验，溶液中
的离子浓度变化情况如图2所示，解释图2中cNH4+)和c(HC0,)的变化曲线与图1
存在差异的原因。
高三化学试卷第2页共8页

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