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2025届高三年级12月份化学学科测试试卷
5.下例说法不正确是
A.熔点：GaN本试卷分途择题和非选择题两都分，全卷满分100分，考试时间75分钟。
B.GaN为共价晶体
注恋事项：
C.GaN晶体中所有原子均采取sp杂化
1.落题前，考生务必在答题纸姓名栏内写上自己的姓名、考试科目、准考证号等，并用2B铅笔涂写年
D.与N原子相连的Ga原子构成的空间构型为止四所体
答题纸上。
2每小题迷出正确答案后，用2B铅笔把答題纸上对应题号的答素标号涂黑。如需改动，用橡皮涤干净
6.摧化剂GaN可佳化CO2直接加氢制二甲醚。在GaN(I10)界面上的部分反
1d8g88三日
后，再选涂其他答案。不能答在试题卷上。
应历程如图，其反应为C0(g)十H(g)→HC00°+H,在GN100)界面
3.考试结史，将答趣纸文回。
上发生的反应为CD2g)+4H(g)→CH+H+2H0(g),下列说法不正
t
可能用到的相对原子质量：H-1
-14
0-16
C0-59
确的是
I卷（选择题共39分）
A制二甲嵌的总反应式为2C02(g)十6Lz(g=CH0CH,(g)十3H20g
单项选择题：共13题，每题3分，共39分。每小题只有一个选项最符合题意：
B.二甲醚中元素电负性：x (OX()>x田
85-
1我国北斗系统组网成功，北斗芯片中的半导体材料为硅。硅在元素周期表中属于
-0.g
C图示的反应历程中，袂速步骤为写一2H
b0b1b2b3b时b5
文成历程
A.s
Bp区
c.d区
D.ds区
D.催化剂的不同界面可以改变反应的路径
2.反应1P4十60Cu$04十6H20一20CuP+24H3P04十60HS04可用于处理不慎沾到皮肤上的白磷。下列
7在给定条件下，下列制备过程涉放的物质转化木可以实现的是
说法正确的是
A侯氏制碱法：饱和NaCl(aq)NES.C0NaHC0,加热，Na,C0s
A.P4分子中的键角为10928
BS省给特际图%G》
B二业销陵：NIOe堡化剂NO,D,BNO,
C.H20的空间构型为V形
D.基态Cu的价层电子排布i式为3d4s
C工北制统破：喷铁矿装器S0,瓷袋是s0,%的体板要s0,
3.碳酸氢铵是一种常用氮肥，其制备原理为：CO2十H20十NH,一NH4HCO,下列相关原坦、装置及阕
D工业制瑞纯陆：SO,5S圈SiC能s1
作确的是
,稀硫酸
8.新型催化剂Ru02可借化O2氛化HC1获得Cl。4HCI(g)十O2(g)、→2C(g)十2Hz0(g)△H-amo'。
NHCI(s)
co,
下列说法正确的是
A该反应S<0
B.4 mol HC1与1ml02反应转移电子教的为4×6.2×10
大坪石
浓氢水
c(CL2)
C反应的平衡常数为K=(HCxc(O)
A.制取CO2{g)
B.制取NH(g)
C.备NH4IHCO(aq)
D.获得NH.HCO3(s)
D.使用催化剂能降低该反应的AH
阅读下列材料，回答46题：
9,中国科学家设计了负栽有Ru纳米颗粒的三雏多孔结构石墨烯基电极Na一SO2”电池，以乙二胺的乙醚溶
元素周期表中LA族元素(sB、1A!、1Ga、m等)的单质及其化合物应用广泛。BF极易水解，生成
液为电解质溶液，其简单示意图如右图。卜列有关说法正确的是
BF4(HBF4是一种强酸)和哪酸HBO)。高温下AlO和过量焦炭在意气的筑固中获得AICs。己知Ga与
A.乙二胺的乙醚溶液可改为乙一胺的水溶液
Al的性质相似，Gn撤童分散于铝土矿中，在一定条件下Ga和NH可以制得GN。GaN蓉为第三代半导
B.三雏多孔结构石离烯基电极有利于体、电极和电解质溶液充分接触
体村料，具有硬度大、综点高的特点。已如GN威锭站构与金刚石相似，其品胞结构如下。已知：
C.允电时，每转移0.1mol电子在阳极可生成标准状况下的气体4.48L
80:
D.放电时，Na电极反应式为2Na+2S02-+2e-NazS2O4
GaN、GP、GaA8的溶，点高，且熔融决态沟不导皂。
行用.R
10.化合物Z是合成某种抗肿鹿药物的宜要中间体，其合成路线如下：
4.下列化学反应表示正确的是
(CH,).SO CH:Q
NaBH
CHQ
A.Ga和NH合成氮化镓：Ga+2NH:=GaN+3H
CIIO K:CO/A
B.BF3水解的离子方程式：4BF3H0=3HBF4十HBO为
ON
CHO
CHOH
Z
C,制备AC时发生的反应：2A,0+3C+6C6高起4A1C十3C02
下列说法正确的是
D.Ga与Na0H溶液反应的化学方程式：2Ga十2NaOH+6H0-2Na[Ga(O)4]+3Hf
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