第十一章 微点突破8 磁聚焦 磁发散(课件 学案,共2份)2026届高中物理(通用版)一轮复习

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第十一章 微点突破8 磁聚焦 磁发散(课件 学案,共2份)2026届高中物理(通用版)一轮复习

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 磁聚焦 磁发散
目标要求 1.理解磁聚焦、磁发散的原理。2.会分析解决磁聚焦、磁发散的问题。
考点一 磁聚焦
如图甲所示,大量的同种带正电的粒子,速度大小相同,平行入射到圆形磁场区域,如果轨迹圆半径与磁场圆半径相等(R=r),则所有的带电粒子将从磁场圆的最低点B点射出。(会聚)
证明:四边形OAO'B为菱形,必是平行四边形,对边平行,OB必平行于AO'(即竖直方向),可知从A点入射的带电粒子必然经过B点。
例1 (多选)(2024·安徽淮北市二模)在电子技术中,科研人员经常通过在适当的区域施加磁场控制带电粒子的运动。如图所示,正方形abcd边长为L,一束相同的正离子以相同的速度v垂直ab边射入,如果在abcd的某区域内存在着磁感应强度大小为B、方向垂直纸面的匀强磁场,最终所有离子均从c点射出,不计离子的重力和离子间的相互作用,则(  )
A.磁场方向垂直纸面向里
B.离子的比荷为
C.磁场区域的最小面积为
D.离子在磁场中运动的最长时间为
考点二 磁发散
如图乙所示,圆形磁场圆心为O,从P点有大量质量为m、电荷量为q的正粒子,以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁场,不计粒子的重力,如果正粒子轨迹圆半径与有界圆形磁场半径相等,则所有粒子射出磁场的方向平行。(发散)
例2 (多选)(2024·江西鹰潭市二模)如图,坐标原点O有一粒子源,能向坐标平面第一、二象限内发射大量质量为m、电荷量为q的正粒子(不计重力),所有粒子速度大小相等,不计粒子间的相互作用。圆心在(0,R)、半径为R的圆形区域内,有垂直于坐标平面向外的匀强磁场(未画出),磁感应强度大小为B。磁场右侧有一长度为R、平行于y轴的光屏,其中心位于(2R,R)。已知初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,恰能垂直射在光屏上,则(  )
A.粒子速度大小为
B.所有粒子均能垂直射在光屏上
C.能射在光屏上的粒子中,在磁场中运动时间最长为
D.能射在光屏上的粒子初速度方向与x轴正方向夹角满足45°≤θ≤135°
1.带电粒子流的磁聚焦是薄膜材料制备的关键技术之一。磁聚焦原理如图,真空中半径为r的圆形区域内存在垂直纸面的匀强磁场。一束宽度为2r、沿x轴正方向运动的电子流射入该磁场后聚焦于坐标原点O。已知电子的质量为m、电荷量为e、进入磁场的速度均为v,不计电子的重力和电子间的相互作用力,则磁感应强度的大小为(  )
A. B. C. D.
2.(多选)(2025·重庆杨家坪中学月考)如图所示,坐标原点O处有一粒子源,能向坐标平面一、二象限内发射大量质量为m、电荷量为q的正粒子(不计重力及粒子间相互作用),所有粒子速度大小相等。圆心在(0,R)、半径为R的圆形区域内,有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B,磁场右侧有一点A(2R,R),已知初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,粒子的速度方向沿x轴的正方向,则(  )
A.初速度方向与x轴夹角为120°的粒子经过A点
B.初速度方向与x轴夹角为135°的粒子经过A点
C.经过A点的粒子在磁场中运动时间为
D.经过A点的粒子在磁场中运动时间为
3.(多选)(2024·山东威海市模拟)利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒子的宽度,人们把此原理运用到薄膜材料制备上,使芯片技术得到飞速发展。如图,宽度为r0的带正电粒子流水平向右射入半径为r0的圆形匀强磁场区域,磁感应强度大小为B0,这些带电粒子都将从磁场圆上O点进入正方形区域,正方形过O点的一边与半径为r0的磁场圆相切。在正方形区域内存在一个面积最小的匀强磁场区域,使会聚到O点的粒子经过该磁场区域后宽度变为2r0,且粒子仍沿水平向右射出,不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力,下列说法正确的是(  )
A.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为2B0,方向垂直纸面向里
B.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为B0,方向垂直纸面向里
C.正方形区域中匀强磁场的最小面积为2(π-2)
D.正方形区域中匀强磁场的最小面积为
答案精析
例1 BD [由题意可知,离子向下偏转,由左手定则知,磁场方向垂直纸面向外,故A错误;画出离子轨迹,如图,由图可知为磁聚焦模型,故运动半径r=L,再由qvB=m得,故B正确;由图可知,磁场区域的最小面积为“叶”形面积S=2()=,故C错误;离子在磁场中运动的最大圆心角为,则最长时间为t=,故D正确。
]
例2 AC [由题意,初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,恰能垂直射在光屏上,有qBv=m,r=R,解得v=,A正确;由于所有粒子的速度大小相等,方向不同,但粒子离开磁场区域的出射点距离O点的竖直高度最大值为2R,并不会全部垂直打在光屏上,B错误;如图甲,由几何关系可得,能射在光屏上的粒子中,运动时间最长的对应轨迹的圆心角为π,
根据周期公式T=,可得t=T=,C正确;若能打在光屏下端,如图乙,由几何关系可得θ1=60°,即初速度与x轴正方向夹角为θ1=60°,同理,粒子打在光屏上端时,初速度与x轴正方向夹角为θ2=120°,则60°≤θ≤120°,D错误。]
跟踪训练
1.C [由题可知,从左侧任选一束电子流从A点进入磁场经磁场偏转后,通过坐标原点O,如图所示
由于电子沿水平方向射入磁场,半径与速度方向垂直,可知AO2∥O1O
由几何关系可知,平行四边形AO2OO1为菱形,因此电子在磁场中运动的轨道半径R=r
又由于evB=,可知磁感应强度的大小为B=,故选C。]
2.AC [初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,粒子的速度方向沿x轴的正方向,则粒子的轨迹半径r=R,由qvB=可得粒子轨迹半径都为R;结合题意和几何关系可知,平面第一、二象限射入的粒子从磁场射出时,速度一定沿x轴正方向,设经过A点的粒子在磁场中运动的轨迹所对的圆心角为α,根据几何关系有R+Rsin (α-90°)=R,解得α=120°,故A正确,B错误;
该粒子在磁场中的运动时间为t=×,故C正确,D错误。]
3.BC [根据磁聚焦原理,粒子在半径为r0的圆形磁场区域中运动,粒子运动的轨迹半径为r0,由qB0v=m解得B0=,要使会聚到O点的粒子经正方形区域内的磁场偏转后宽度变为2r0,且粒子仍沿水平向右射出,作出轨迹如图所示,由几何关系可知粒子的轨迹半径为2r0,正方形中磁场区域内应该为圆形磁场的一部分,有qB1v=m,解得B1=B0,由左手定则可知,方向垂直纸面向里,A错误,B正确;由图可知,磁场区域的最小面积为Smin=2[(2r0)2]=2(π-2),C正确,D错误。
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第十一章
物理





磁场
微点突破8
磁聚焦 磁发散
目标
要求
1.理解磁聚焦、磁发散的原理。
2.会分析解决磁聚焦、磁发散的问题。
内容索引
考点一 磁聚焦
考点二 磁发散
跟踪训练
如图甲所示,大量的同种带正电的粒子,速度大小相同,平行入射到圆形磁场区域,如果轨迹圆半径与磁场圆半径相等(R=r),则所有的带电粒子将从磁场圆的最低点B点射出。(会聚)
磁聚焦
考点一
证明:四边形OAO'B为菱形,必是平行四边形,对边平行,OB必平行于AO'(即竖直方向),可知从A点入射的带电粒子必然经过B点。
(多选)(2024·安徽淮北市二模)在电子技术中,科研人员经常通过在适当的区域施加磁场控制带电粒子的运动。如图所示,正方形abcd边长为L,一束相同的正离子以相同的速度v垂直ab边射入,如果在abcd的某区域内存在着磁感应强度大小为B、方向垂直纸面的匀强磁场,最终所有离子均从c点射出,不计离子的重力和离子间的相互作用,则
A.磁场方向垂直纸面向里
B.离子的比荷为
C.磁场区域的最小面积为
D.离子在磁场中运动的最长时间为
例1


由题意可知,离子向下偏转,由左手定则知,磁场方向垂直纸面向外,故A错误;
画出离子轨迹,如图,
由图可知为磁聚焦模型,故运动半径r=L,再由
qvB=m,故B正确;
由图可知,磁场区域的最小面积为“叶”形面积S=2()=,故C错误;
离子在磁场中运动的最大圆心角为,则最长时间为t=,故D正确。
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磁发散
考点二
如图乙所示,圆形磁场圆心为O,从P点有大量质量为m、电荷量为q的正粒子,以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁场,不计粒子的重力,如果正粒子轨迹圆半径与有界圆形磁场半径相等,则所有粒子射出磁场的方向平行。(发散)
(多选)(2024·江西鹰潭市二模)如图,坐标原点O有一粒子源,能向坐标平面第一、二象限内发射大量质量为m、电荷量为q的正粒子(不计重力),所有粒子速度大小相等,不计粒子间的相互作用。圆心在(0,R)、半径为R的圆形区域内,有垂直于坐标平面向外的匀强磁场(未画出),磁感应强度大小为B。磁场右侧有一长度为R、平行于y轴的光屏,其中心位于(2R,R)。已知初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,恰能垂直射在光屏上,则
A.粒子速度大小为
B.所有粒子均能垂直射在光屏上
C.能射在光屏上的粒子中,在磁场中运动时间最长为
D.能射在光屏上的粒子初速度方向与x轴正方向夹角满足45°≤θ≤135°
例2


由题意,初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,恰能垂直射在光屏上,有qBv=m,r=R,解得v=,A正确;
由于所有粒子的速度大小相等,方向不同,但粒子离
开磁场区域的出射点距离O点的竖直高度最大值为2R,并不会全部垂直打在光屏上,B错误;
如图甲,由几何关系可得,能射在光屏上的粒子中,运动时间最长的对应轨迹的圆心角为π,根据周期公式T=,可得t=T=,C正确;
若能打在光屏下端,如图乙,由几何关系可得θ1=60°,即初速度与x轴正方向夹角为θ1=60°,同理,粒子打在光屏上端时,初速度与x轴正方向夹角为θ2=120°,则60°≤θ≤120°,D错误。
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跟踪训练
1.带电粒子流的磁聚焦是薄膜材料制备的关键技术之一。磁聚焦原理如图,真空中半径为r的圆形区域内存在垂直纸面的匀强磁场。一束宽度为2r、沿x轴正方向运动的电子流射入该磁场后聚焦于坐标原点O。已知电子的质量为m、电荷量为e、进入磁场的速度均为v,不计电子的重力和电子间的相互作用力,则磁感应强度的大小为
A. B. C. D.

由题可知,从左侧任选一束电子流从A点进入磁场经磁场偏转后,通过坐标原点O,如图所示
由于电子沿水平方向射入磁场,半径与速度方向垂直,可知AO2∥O1O
由几何关系可知,平行四边形AO2OO1为菱形,因此电子在磁场中运动的轨道半径R=r
又由于evB=,可知磁感应强度的大小为B=,故选C。
2.(多选)(2025·重庆杨家坪中学月考)如图所示,坐标原点O处有一粒子源,能向坐标平面一、二象限内发射大量质量为m、电荷量为q的正粒子(不计重力及粒子间相互作用),所有粒子速度大小相等。圆心在(0,R)、半径为R的圆形区域内,有垂直于坐标平面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B,磁场右侧有一点A(2R,R),已知初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,粒子的速度方向沿x轴的正方向,则
A.初速度方向与x轴夹角为120°的粒子经过A点
B.初速度方向与x轴夹角为135°的粒子经过A点
C.经过A点的粒子在磁场中运动时间为
D.经过A点的粒子在磁场中运动时间为


初速度沿y轴正方向的粒子经过磁场后,粒子的速度方向沿x轴的正方向,则粒子的轨迹半径r=R,由qvB=可得粒子轨迹半径都为R;结合题意和几何关系
可知,平面第一、二象限射入的粒子从磁场射出时,速度一定沿x轴正方向,设经过A点的粒子在磁场中运动的轨迹所对的圆心角为α,根据几何关系有R+Rsin (α-90°)=R,解得α=120°,故A正确,B错误;
该粒子在磁场中的运动时间为t=×,故C正确,D错误。
3.(多选)(2024·山东威海市模拟)利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒子的宽度,人们把此原理运用到薄膜材料制备上,使芯片技术得到飞速发展。如图,宽度为r0的带正电粒子流水平向右射入半径为r0的圆形匀强磁场区域,磁感应强度大小为B0,这些带电粒子都将从磁场圆上O点进入正方形区域,正方形过O点的一边与半径为r0的磁场圆相切。在正方形区域内存在一个面积最小的匀强磁场区域,使会聚到O点的粒子经过该磁场区域后宽度变为2r0,且粒子仍沿水平向右射出,不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力,
下列说法正确的是
A.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为2B0,方向
垂直纸面向里
B.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为B0,方向
垂直纸面向里
C.正方形区域中匀强磁场的最小面积为2(π-2)
D.正方形区域中匀强磁场的最小面积为


根据磁聚焦原理,粒子在半径为r0的圆形磁场区域中运动,粒子运动的轨迹半径为r0,由qB0v=m解得B0=,要使会聚到O点的粒子经正方形区域内的磁场偏转
后宽度变为2r0,且粒子仍沿水平向右射出,作出轨迹如
图所示,由几何关系可知粒子的轨迹半径为2r0,正方形中磁场区域内应该为圆形磁场的一部分,有qB1v=m,解得B1=B0,由左手定则可知,
方向垂直纸面向里,A错误,B正确;
由图可知,磁场区域的最小面积为Smin=2[(2r0)2]=2(π-2),C正确,D错误。
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