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2026年上海市普通高中学业水平等级性考试
物理试卷
(考试时问60分钟，满分100分)
(试卷共3页，答题纸共1页)
特别提示：
1.标注“多选”的试题，每小题应选两个及以上的选项，但不可全选；未特别标注的选择类试题，每
小题只能选一个选项。
2.在列式计算、逻辑推理以及回答问题过程中，须给出必要的图示、文字说明、公式、演算等。
3.除特殊说明外，本卷所用重力加速度大小g均取9.8s2。
一空间科技（15分)
近年来，我国在空间科技领域取得了举世瞩目的成就，中国空间站全面建成并进入常态
化运营，深空探测任务不断取得新突破。从航天器携带的核燃料电池，到空问站的轨道维持
与调整，再到卫星在近地空问的电磁环境分析，无一不蕴含着丰富的物理学原理。
1.航天器中一种可能的轴核裂变方程为2经U+6n一6Ba+器K+
A.on
B.3n
C.c
D.30c
2.若某核反应发生前，所有参与反应物质的总静止质量为M:反应完成后，所有生成物的
总静止质量为M。己知真空中的光速为c,则该核反应过程中释放的核能△E=。
3.假设在某段时间内，某空间站轨道高度先后进行了两次自然衰减，第一次下降了小高度
△h,第二次也下降了小高度△。若这两次下降过程中，空间站引力势能的变化量绝对值
分别为△Epl小、I△Ep,则二者的大小关系为
A.I△Epl>l△EplB.l△Epl=lAEp2lC.l△Epl4.某空间站绕地球做匀速圆周运动，其运动的轨道半径为”，空间站自身质量为m,则该
空间站的动能为。（已知地球质量为M,引力常量为G)
5.地球磁场会对运行在近地空间的带电物体产生影响。某人造地球卫星在赤道正上方自西
向东飞行。若将该卫星视作一个高速运动的“正电子”（带正电荷），则在此位置其受
到地球磁场力的方向为
0
A,向上
B.向下
C.向西
D.向东
二、光刻技术
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯
片生产的难点和关键点在于如何在硅片上制作出目标电路图样，这一过程通过光刻来实现，
光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。一般芯片在生产中需要进行20-30
次的光刻，耗时占到IC生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。浦济之光是一种很
好的光刻材料，你认识吗？在诸如硅片的基底表面覆盖一层具有高度光敏感性的光刻胶，再
用特定光（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过包含目标图案信息的掩模版照射在基
底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应，因此，在显影后被照到的区城会产生与未被照
到的区域不同的效果。
6,【多选】在杨氏双缝干涉实验中，观察到屏幕上形成了明暗相间的干涉条纹。
若要使相邻的明纹（或暗纹）的间距减小，可以减小下列哪些物理量
A.入射光的波长B.双缝间距C.入射光的光强D.双缝到屏幕的距离
7,(1)粒子发射器的带电粒子平行于平行板进入平行板电容器，电容器与电源
E,定值电阻R串联组成闭合电路：己知电路稳定时，电容器的两端
电压为U,两板间距为d。则电容器两板间的电场强度
7,(2)【多选】实验中观测到带电粒子射到b点右侧，若要使带
电粒子通过电容后落在b点，下列操作可行的是(、
A.增大电阻R的阻值
B.减小电阻R的阻值
C将电容器向上移动
D.将电容器向下移动
E.将电容器右极板向左移动
F.将电容器右极板向右移动
(3)带电粒子刚进入电容器的时刻为t1,刚离开电容器的时刻为t2:比孩t、
t2时刻该粒子的电势能Ep与E2的大小关系以及t1、t2时刻该粒子所处位置的电
势p,与p2的高低关系。
8,已知普朗克常量为h,真空中的光速为c,某光子的波长为入。
(1)该光子的能量为
(2)若有一质量为的氦原子，要使其德布罗意波长小于上述光子的波长λ，
则氦原子的速度至少为。。
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