资源简介 中小学教育资源及组卷应用平台专题07 磁场考点分类 2026年高考命题解读 创新考法考点01 磁现象和磁场 安培力 侧重基础模型与微电流产生磁场的结合,考查安培力方向的判断和大小计算,注重实际应用场景。 引入非均匀磁场或利用微元法分析非直导线问题,结合传感器等新情境考查安培力的动态变化。考点02 带电粒子在磁场中的圆周运动 聚焦带电粒子在有界磁场中的临界、极值及多解问题,强调几何关系与物理规律的深度融合。 将粒子运动与现代科技仪器(如气泡室)结合,考查螺旋运动、动量冲量及能量转换的综合分析。考点03 带电粒子在组合场(复合场)中的运动 强调电场、磁场组合的多过程分析,结合速度选择器、质谱仪等模型,考查周期性、对称性思维。 在组合场中融入光电效应、衰变等近代物理元素,探究粒子能量、轨迹与电、磁场调控的关联。【考点01 磁现象和磁场 安培力】1.(2022年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)利用如图所示装置探究匀强磁场中影响通电导线受力的因素,导线垂直匀强磁场方向放置。先保持导线通电部分的长度L不变,改变电流I的大小,然后保持电流I不变,改变导线通电部分的长度L,得到导线受到的安培力F分别与I和L的关系图象,则正确的是( )A. B.C. D.【答案】B【详解】根据F = BIL可知先保持导线通电部分的长度L不变,改变电流I的大小,则F—I图象是过原点的直线。同理保持电流I不变,改变通过电部分的长度L,则F-L图象是过原点的直线。故选B。2.(2024年1月浙江省普通高校招生选考物理试题)磁电式电表原理示意图如图所示,两磁极装有极靴,极靴中间还有一个用软铁制成的圆柱。极靴与圆柱间的磁场都沿半径方向,两者之间有可转动的线圈。a、b、c和d为磁场中的四个点。下列说法正确的是( )A.图示左侧通电导线受到安培力向下 B.a、b两点的磁感应强度相同C.圆柱内的磁感应强度处处为零 D.c、d两点的磁感应强度大小相等【答案】A【详解】A.由左手定则可知,图示左侧通电导线受到安培力向下,选项A正确; B.a、b两点的磁感应强度大小相同,但是方向不同,选项B错误;C.磁感线是闭合的曲线,则圆柱内的磁感应强度不为零,选项C错误;D.因c点处的磁感线较d点密集,可知 c点的磁感应强度大于d点的磁感应强度,选项D错误。故选A。3.(2023年高考浙江卷物理真题(6月))如图所示,质量为M、电阻为R、长为L的导体棒,通过两根长均为l、质量不计的导电细杆连在等高的两固定点上,固定点间距也为L。细杆通过开关S可与直流电源或理想二极管串接。在导体棒所在空间存在磁感应强度方向竖直向上、大小为B的匀强磁场,不计空气阻力和其它电阻。开关S接1,当导体棒静止时,细杆与竖直方向的夹角固定点;然后开关S接2,棒从右侧开始运动完成一次振动的过程中( ) A.电源电动势 B.棒消耗的焦耳热C.从左向右运动时,最大摆角小于 D.棒两次过最低点时感应电动势大小相等【答案】C【详解】A.当开关接1时,对导体棒受力分析如图所示 根据几何关系可得解得根据欧姆定律解得故A错误;根据右手定则可知导体棒从右向左运动时,产生的感应电动势与二极管正方向相同,部分机械能转化为焦耳热;导体棒从左向右运动时,产生的感应电动势与二极管相反,没有机械能损失B.若导体棒运动到最低点时速度为零,导体棒损失的机械能转化为焦耳热为根据楞次定律可知导体棒完成一次振动速度为零时,导体棒高度高于最低点,所以棒消耗的焦耳热故B错误;C.根据B选项分析可知,导体棒运动过程中,机械能转化为焦耳热,所以从左向右运动时,最大摆角小于,故C正确;D.根据B选项分析,导体棒第二次经过最低点时的速度小于第一次经过最低点时的速度,根据可知棒两次过最低点时感应电动势大小不相等,故D错误。故选C。4.(2026年1月浙江省选考物理试题)如图所示,一根带负电的塑料棒,长为l、横截面积为S、均匀分布有N个电子(电子电荷量为)。让棒垂直于匀强磁场B,以速度v沿轴向做匀速运动。下列说法正确的是( )A.等效电流的方向与v方向相同 B.等效电流的大小C.棒产生的感应电动势 D.棒所受安培力的大小【答案】B【详解】A. 塑料棒带负电,则等效电流的方向与v方向相反,A错误; B. 等效电流的大小,B正确;C. 棒中几乎没有自由电子,磁通量不发生变化,不产生感应电动势,C错误;D. 棒所受安培力的大小,D错误。故选B。二、解答题5.(2026年1月浙江省选考物理试题)测量局域磁场,科学家基于电阻应变片开发出一种磁场检测芯片,其简化结构如图1所示。长度均为l、通有恒定电流I0。(方向相反)的两刚性金属杆ab、cd,与具有良 好弹性的绝缘悬梁OA、OD构成“H”形支架,对称固定于底座O处。在悬梁上、下表面对称安装四个相同的电阻应变片(各自引出两导线),其阻值分别为R1、R2、R3和R4,将它们 按图2方式与电动势为E的电源(不计内阻)相连。未加磁场时,支架处于水平平衡状态, 此时R1=R2=R3=R4=R0,测得e、f两端的电势差为0。现施加待测磁场,其方向水平向右、且垂直于金属杆,则金属杆ab、cd受安培力作用,使悬梁OA、OD产生形变,四个应变片的阻值发生相应变化,其变化量的绝对值均为ΔR,此时测得e、f两端的电势差为Uef,从而得到待测磁场磁感应强度B的大小。(1)判断金属杆ab和cd所受安培力的方向;(2)写出上述四个电阻的阻值(用R0和ΔR表示);(3)已知电阻变化量和所受的安培力成正比关系,且比例系数为,求与B之间的关系。【答案】(1)ab竖直向下,cd竖直向上(2),,,(3)【详解】(1)根据左手定则可知ab所受安培力方向竖直向下;cd所受安培力方向竖直向上。(2)由题意可知ab向上弯曲,使R1被拉伸(阻值增大)、R3被压缩(阻值减小),故cd向下弯曲,使R2被压缩(阻值减小)、R4被拉伸(阻值增大),故(3)由图可知R1与R2串联,R3与R4串联,两条支路并联。上支路总电阻为电流f点电势下支路总电阻为电流e点电势e、f两点间的电势差绝对值安培力与ΔR的关系:,而,所以联立得【考点02 带电粒子在磁场中的圆周运动】1.(2026年1月浙江省选考物理试题)在充满液态氢的气泡室中存在方向垂直图示平面、磁感应强度为B的匀强磁场。一束射线通过气泡室,其中一个光子将一个氢原子打出一个电子(),同时自身转变为一对正负电子对。三个电子在气泡室中的径迹如图所示(氢原子和产生的质子均可视为静止),开始时,三条径迹共切于O点,其半径分别为、和。假设电子在气泡室中所受阻力大小正比于速率,比例系数为k,方向与速度方向相反。沿径迹1、2、3运动的电子速度减为0时的位置分别位于M(图中未标出)、P、Q三点。已知电子质量为me,元电荷为e,光速为c。下列说法正确的是( )A.光子的能量小于 B.光子的动量大小为C.O与P、Q的距离之比 D.沿径迹1运动的电子总路程为【答案】BC【详解】A.因光子转化为一对正负电子对应的能量为,同时光子将一部分能量传递给被打出的电子,可知光子的能量一定大于,A错误;B.电子在磁场中做圆周运动,根据可得则沿轨迹1、2、3运动的电子对应的动量分别为、、由动量守恒可知可得光子的动量大小为,B正确;C.正负电子在磁场运动时受阻力作用速度逐渐减小,则做圆周运动的半径逐渐减小,即电子做螺旋运动,将电子的轨迹分成无数小段,每一小段均可看做是一段圆弧,因速度方向总是沿对应的一小段圆弧的切线方向,电子在每一小段上做圆周运动的圆心是固定的(该位置为电子刚开始做圆周运动时的圆心位置,对沿2、3轨迹的电子分别为P点和Q点),电子最终停止运动时将停止在该圆心位置,可知O与P、Q的距离之比,C正确;D.沿径迹1运动的电子初速度为电子受的阻力由动量定理求和可得即总路程为,D错误。故选BC。二、解答题2.(2022年高考浙江6月物理高考真题)离子速度分析器截面图如图所示。半径为R的空心转筒P,可绕过O点、垂直xOy平面(纸面)的中心轴逆时针匀速转动(角速度大小可调),其上有一小孔S。整个转筒内部存在方向垂直纸面向里的匀强磁场。转筒下方有一与其共轴的半圆柱面探测板Q,板Q与y轴交于A点。离子源M能沿着x轴射出质量为m、电荷量为 – q(q > 0)、速度大小不同的离子,其中速度大小为v0的离子进入转筒,经磁场偏转后恰好沿y轴负方向离开磁场。落在接地的筒壁或探测板上的离子被吸收且失去所带电荷,不计离子的重力和离子间的相互作用。(1)①求磁感应强度B的大小;②若速度大小为v0的离子能打在板Q的A处,求转筒P角速度ω的大小;(2)较长时间后,转筒P每转一周有N个离子打在板Q的C处,OC与x轴负方向的夹角为θ,求转筒转动一周的时间内,C处受到平均冲力F的大小;(3)若转筒P的角速度小于,且A处探测到离子,求板Q上能探测到离子的其他θ′的值(θ′为探测点位置和O点连线与x轴负方向的夹角)。【答案】(1)①,②,k = 0,1,2,3…;(2),n = 0,1,2,…;(3),【详解】(1)①离子在磁场中做圆周运动有则②离子在磁场中的运动时间转筒的转动角度,k = 0,1,2,3…(2)设速度大小为v的离子在磁场中圆周运动半径为,有离子在磁场中的运动时间转筒的转动角度ω′t′ = 2nπ + θ转筒的转动角速度,n = 0,1,2,…动量定理,n = 0,1,2,…(3)转筒的转动角速度其中k = 1,,n = 0,2或者(舍)可得,3.(2023年高考浙江卷物理真题(6月))利用磁场实现离子偏转是科学仪器中广泛应用的技术。如图所示,Oxy平面(纸面)的第一象限内有足够长且宽度均为L、边界均平行x轴的区域Ⅰ和Ⅱ,其中区域Ⅰ存在磁感应强度大小为B1的匀强磁场,区域Ⅱ存在磁感应强度大小为B2的磁场,方向均垂直纸面向里,区域Ⅱ的下边界与x轴重合。位于处的离子源能释放出质量为m、电荷量为q、速度方向与x轴夹角为60°的正离子束,沿纸面射向磁场区域。不计离子的重力及离子间的相互作用,并忽略磁场的边界效应。(1)求离子不进入区域Ⅱ的最大速度v1及其在磁场中的运动时间t;(2)若,求能到达处的离子的最小速度v2;(3)若,且离子源射出的离子数按速度大小均匀地分布在范围,求进入第四象限的离子数与总离子数之比η。 【答案】(1);(2)(3)60%【详解】(1)当离子不进入磁场Ⅱ速度最大时,轨迹与边界相切,则由几何关系解得r1=2L根据解得在磁场中运动的周期运动时间 (2)若B2=2B1,根据可知粒子在磁场中运动轨迹如图,设O1O2与磁场边界夹角为α,由几何关系解得r2=2L根据解得(3)当最终进入区域Ⅱ的粒子若刚好到达x轴,则由动量定理即求和可得粒子从区域Ⅰ到区域Ⅱ最终到x轴上的过程中解得则速度在~之间的粒子才能进入第四象限;因离子源射出粒子的速度范围在~,又粒子源射出的粒子个数按速度大小均匀分布,可知能进入第四象限的粒子占粒子总数的比例为η=60%4.(2025年高考浙江卷(6月)物理真题)利用磁偏转系统可以测量不同核反应中释放的高能粒子能量,从而研究原子核结构。如图1所示,用回旋加速器使氘原子核()获得2.74MeV动能,让其在S处撞击铝()核发生核反应,产生处于某一激发态和基态的同位素核()以及两种不同能量的质子()。产生的质子束经狭缝X沿水平直径方向射入半径为R,方向垂直纸面向里、大小为B的圆形匀强磁场区域,经偏转后打在位于磁场上方的探测板上A、D处(探测板与磁场边界相切于A点,D点与磁场圆心O处在同一竖直线上),获得如图2所示的质子动能的能谱图。(1)写出氘核撞击铝核的核反应方程;(2)求A、D的间距L;(3)若从回旋加速器引出的高能氘核流为1.0mA,求回旋加速器的输出功率;(4)处于激发态的核会发生β衰变,核反应方程是。若核质量等于核质量,电子质量为0.51MeV/c2,在上述两个核反应过程中,原子核被视为静止,求衰变释放的能量。【答案】(1)(2)(3)2.74×103W(4)5.49MeV【详解】(1)氘核撞击铝核的核反应方程(2)由图可知,两种质子的动能分别为3MeV和9MeV,动能之比1∶3,可知速度之比,根据可知可知在磁场中的半径之比为由图可知半径较小的打到A点,半径较大的打到D点,由几何关系可知,解得可得A、D的间距(3)若从回旋加速器引出的高能氘核流为1.0mA,则时间t射出氘核的数量为回旋加速器的输出功率(4)氘核撞击铝核发生核反应,产生处于某一激发态和基态的同位素核()以及两种不同能量的质子。根据能量守恒可得,能量的为3MeV和9MeV质子分别对应处于激发态的和处于基态的态的。激发态的回到基态会释放能量核质量等于核质量,则衰变释放的能量主要来源于激发态的跃迁产生的能量差。电子质量为0.51MeV/c2,则衰变释放能量5.(2026年1月浙江省选考物理试题)俄歇电子能谱(AES)广泛应用于材料表面成分分析。如图1所示,一束高能电子入射到样品表面,将某原子内层(如K层)的一个电子击出,形成一个空穴。随后,较外层(如L层)的一个电子跃迁至该空穴,并释放出能量,该能量可能以X光子的形式射出,也可能立即将另一核外电子(如L层或M层的电子)电离而逸出样品表面,该电子称为俄歇电子;现用电子动能的电子束轰击某样品表面,成功激发KLM俄歇过程(即初始空穴为K层、跃迁电子来自L层、逸出电子来自M层)和KLL俄歇过程(逸出电子来自L层)。已知该原子K层的电离能L层的电离能已知电子的电荷量,电子质量,光速,普朗克常量。(计算结果保留一位有效数字)请回答:(1)入射电子的德布罗意波长。(2)求射出的X光子的波长;(3)甲同学利用带电粒子在磁场中的运动规律,设计了如图2所示的测量俄歇电子动能的方案;俄歇电子从原点O垂直y轴和磁场方向进入匀强磁场,则y1=10.0cm和y2=10.5cm处被探测到,通过测得的俄歇电子的动能,求原子M层的电离能;(4)乙同学认为用带电粒子在电场中的运动规律,测出俄歇电子的动能,请你帮乙同学设计一个方案,列出所需要测量的物理量,并给出计算俄歇电子动能的表达式。【答案】(1)(2)(3)(4)见解析【详解】(1)由德布罗意公式又解得(2)因线是由电子从L层跃迁到K层时释放的光子,则光子的能量为则由解得(3)电子在磁场中做圆周运动,洛伦兹力提供向心力俄歇电子的动能为(d表示直径)设KLL俄歇电子的动能为EKLL;KLM俄歇电子的动能为EKLM,则有KLL俄歇电子:K层空穴由L层电子填充,释放的能量为EK-EL,并传递给L层另一个电子使其逸出,又消耗EL,则KLL俄歇电子的动能为同理可得,KLM俄歇电子的动能为解得(4)让待测电子束以水平初速度射入两块平行金属板之间,金属板长为L,板间距为d,两板之间加恒定的电压U,形成匀强电场,在离开金属板右侧距离L1处垂直电子入射方向放置一荧光屏,如图所示需要测量的物理量:金属板长度L,板间电压U,板间距d以及L1,电子飞出电场后打到荧光屏时垂直电子入射方向的侧移量y;计算方法:电子在水平方向做匀速直线运动,则电子在竖直方向做初速度为零的匀加速直线运动,则加速度侧移量满足俄歇电子动能表达式【考点03 带电粒子在组合场(复合场)中的运动】1.(2023年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)某兴趣小组设计的测量大电流的装置如图所示,通有电流I的螺绕环在霍尔元件处产生的磁场,通有待测电流的直导线垂直穿过螺绕环中心,在霍尔元件处产生的磁场。调节电阻R,当电流表示数为时,元件输出霍尔电压为零,则待测电流的方向和大小分别为( )A., B.,C., D.,【答案】D【详解】根据安培定则可知螺绕环在霍尔元件处产生的磁场方向向下,则要使元件输出霍尔电压为零,直导线在霍尔元件处产生的磁场方向应向上,根据安培定则可知待测电流的方向应该是;元件输出霍尔电压为零,则霍尔元件处合场强为0,所以有解得故选D。二、解答题2.(2022年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)如图为研究光电效应的装置示意图,该装置可用于分析光子的信息。在xOy平面(纸面)内,垂直纸面的金属薄板M、N与y轴平行放置,板N中间有一小孔O。有一由x轴、y轴和以O为圆心、圆心角为90°的半径不同的两条圆弧所围的区域Ⅰ,整个区域Ⅰ内存在大小可调、方向垂直纸面向里的匀强电场和磁感应强度大小恒为B1、磁感线与圆弧平行且逆时针方向的磁场。区域Ⅰ右侧还有一左边界与y轴平行且相距为l、下边界与x轴重合的匀强磁场区域Ⅱ,其宽度为a,长度足够长,其中的磁场方向垂直纸面向里,磁感应强度大小可调。光电子从板M逸出后经极板间电压U加速(板间电场视为匀强电场),调节区域Ⅰ的电场强度和区域Ⅱ的磁感应强度,使电子恰好打在坐标为(a+2l,0)的点上,被置于该处的探测器接收。已知电子质量为m、电荷量为e,板M的逸出功为W0,普朗克常量为h。忽略电子的重力及电子间的作用力。当频率为ν的光照射板M时有光电子逸出,(1)求逸出光电子的最大初动能Ekm,并求光电子从O点射入区域Ⅰ时的速度v0的大小范围;(2)若区域Ⅰ的电场强度大小,区域Ⅱ的磁感应强度大小,求被探测到的电子刚从板M逸出时速度vM的大小及与x轴的夹角;(3)为了使从O点以各种大小和方向的速度射向区域Ⅰ的电子都能被探测到,需要调节区域Ⅰ的电场强度E和区域Ⅱ的磁感应强度B2,求E的最大值和B2的最大值。【答案】(1);;(2);;(3);【详解】(1)光电效应方程,逸出光电子的最大初动能(2)速度选择器如图所示,几何关系(3)由上述表达式可得由而v0sinθ等于光电子在板逸出时沿y轴的分速度,则有即联立可得B2的最大值3.(2023年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)探究离子源发射速度大小和方向分布的原理如图所示。x轴上方存在垂直平面向外、磁感应强度大小为B的匀强磁场。x轴下方的分析器由两块相距为d、长度足够的平行金属薄板M和N组成,其中位于x轴的M板中心有一小孔C(孔径忽略不计),N板连接电流表后接地。位于坐标原点O的离子源能发射质量为m、电荷量为q的正离子,其速度方向与y轴夹角最大值为;且各个方向均有速度大小连续分布在和之间的离子射出。已知速度大小为、沿y轴正方向射出的离子经磁场偏转后恰好垂直x轴射入孔C。未能射入孔C的其它离子被分析器的接地外罩屏蔽(图中没有画出)。不计离子的重力及相互作用,不考虑离子间的碰撞。(1)求孔C所处位置的坐标;(2)求离子打在N板上区域的长度L;(3)若在N与M板之间加载电压,调节其大小,求电流表示数刚为0时的电压;(4)若将分析器沿着x轴平移,调节加载在N与M板之间的电压,求电流表示数刚为0时的电压与孔C位置坐标x之间关系式。【答案】(1);(2);(3);(4)当时,【详解】(1)速度大小为、沿y轴正方向射出的离子经磁场偏转后轨迹如图由洛伦兹力提供向心力解得半径孔C所处位置的坐标(2)速度大小为的离子进入磁场后,由洛伦兹力提供向心力解得半径若要能在C点入射,则由几何关系可得解得如图由几何关系可得(3)不管从何角度发射由(2)可得根据动力学公式可得,联立解得(4)孔C位置坐标x其中联立可得,解得在此范围内,和(3)相同,只与相关,可得解得根据动力学公式可得,解得4.(2025年1月浙江高考真题物理试题)同位素相对含量的测量在考古学中有重要应用,其测量系统如图1所示。将少量古木样品碳化、电离后,产生的离子经过静电分析仪ESA-I、磁体-I和高电压清除器,让只含有三种碳同位素、、的离子束(初速度可忽略不计)进入磁体-Ⅱ.磁体-Ⅱ由电势差为U的加速电极P,磁感应强度为B、半径为R的四分之一圆弧细管道和离子接收器F构成。通过调节U,可分离、、三种同位素,其中、的离子被接收器F所接收并计数,它们的离子数百分比与U之间的关系曲线如图2所示,而离子可通过接收器F,进入静电分析仪ESA-Ⅱ,被接收器D接收并计算。(1)写出中子与发生核反应生成,以及发生衰变生成的核反应方程式:(2)根据图2写出的离子所对应的U值,并求磁感应强度B的大小(计算结果保留两位有效数字。已知,原子质量单位,元电荷);(3)如图1所示,ESA-Ⅱ可简化为间距两平行极板,在下极板开有间距的两小孔,仅允许入射角的离子通过。求两极板之间的电势差U:(4)对古木样品,测得与离子数之比值为;采用同样办法,测得活木头中与的比值为,由于它与外部环境不断进行碳交换,该比例长期保持稳定。试计算古木被砍伐距今的时间(已知的半衰期约为5700年,)【答案】(1),(2),(3)(4)【详解】(1)中子与发生核反应生成的核反应方程式为发生衰变生成的核反应方程式为(2)在加速电场中,由动能定理得解得磁场中,洛伦兹力提供向心力联立解得,相比,的比荷更大,通过圆形管道所需要的电压更大,通过图2可知当电压为时,与的离子数百分比为,故的离子所对应的U值为。根据整理得(3)由题意知,粒子在板间做类斜抛运动,水平方向有,竖直方向有,,联立解得(4)古木中与比值是活木头中的,说明经过衰变后只剩下,已知经过一个半衰期剩下,设经过n个半衰期,则有解得则砍伐时间5.(2024年1月浙江省普通高校招生选考物理试题)类似光学中的反射和折射现象,用磁场或电场调控也能实现质子束的“反射”和“折射”。如图所示,在竖直平面内有三个平行区域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ;Ⅰ区宽度为d,存在磁感应强度大小为B、方向垂直平面向外的匀强磁场,Ⅱ区的宽度很小。Ⅰ区和Ⅲ区电势处处相等,分别为和,其电势差。一束质量为m、电荷量为e的质子从O点以入射角射向Ⅰ区,在P点以出射角射出,实现“反射”;质子束从P点以入射角射入Ⅱ区,经Ⅱ区“折射”进入Ⅲ区,其出射方向与法线夹角为“折射”角。已知质子仅在平面内运动,单位时间发射的质子数为N,初速度为,不计质子重力,不考虑质子间相互作用以及质子对磁场和电势分布的影响。(1)若不同角度射向磁场的质子都能实现“反射”,求d的最小值;(2)若,求“折射率”n(入射角正弦与折射角正弦的比值)(3)计算说明如何调控电场,实现质子束从P点进入Ⅱ区发生“全反射”(即质子束全部返回Ⅰ区)(4)在P点下方距离处水平放置一长为的探测板(Q在P的正下方),长为,质子打在探测板上即被吸收中和。若还有另一相同质子束,与原质子束关于法线左右对称,同时从O点射入Ⅰ区,且,求探测板受到竖直方向力F的大小与U之间的关系。【答案】(1);(2);(3);(4)见解析【详解】(1)根据牛顿第二定律不同角度射向磁场的质子都能实现“反射”,d的最小值为(2)设水平方向为方向,竖直方向为方向,方向速度不变,方向速度变小,假设折射角为,根据动能定理解得根据速度关系解得(3)全反射的临界情况:到达Ⅲ区的时候方向速度为零,即可得即应满足(4)临界情况有两个:1、全部都能打到,2、全部都打不到的情况,根据几何关系可得所以如果的情况下,折射角小于入射角,两边射入的粒子都能打到板上,分情况讨论如下:①当时又解得全部都打不到板的情况②根据几何知识可知当从Ⅱ区射出时速度与竖直方向夹角为时,粒子刚好打到D点,水平方向速度为所以又解得即当时③部分能打到的情况,根据上述分析可知条件为(),此时仅有O点右侧的一束粒子能打到板上,因此又解得6.(2024年高考6月浙江卷物理真题)探究性学习小组设计了一个能在喷镀板的上下表面喷镀不同离子的实验装置,截面如图所示。在xOy平面内,除x轴和虚线之间的区域外,存在磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外的匀强磁场,在无磁场区域内,沿着x轴依次放置离子源、长度为L的喷镀板P、长度均为L的栅极板M和N(由金属细丝组成的网状电极),喷镀板P上表面中点Q的坐标为(1.5L,0),栅极板M中点S的坐标为(3L,0),离子源产生a和b两种正离子,其中a离子质量为m,电荷量为q,b离子的比荷为a离子的倍,经电压U=kU0(其中,k大小可调,a和b离子初速度视为0)的电场加速后,沿着y轴射入上方磁场。经磁场偏转和栅极板N和M间电压UNM调控(UNM>0),a和b离子分别落在喷镀板的上下表面,并立即被吸收且电中和,忽略场的边界效应、离子受到的重力及离子间相互作用力。(1)若U=U0,求a离子经磁场偏转后,到达x轴上的位置x0(用L表示)。(2)调节U和UNM,并保持,使a离子能落到喷镀板P上表面任意位置,求:①U的调节范围(用U0表示);②b离子落在喷镀板P下表面的区域长度;(3)要求a和b离子恰好分别落在喷镀板P上下表面的中点,求U和UNM的大小。【答案】(1)L;(2)①;②;(3),【详解】(1)对a离子根据动能定理得a离子在匀强磁场中做匀速圆周运动a离子经磁场偏转后,到达x轴上的位置,联立解得(2)①要使a离子能落到喷镀板P上表面任意位置,只能经电压为U的电场加速后再经第一象限匀强磁场偏转一次打在P板上方任意处,则结合(1)中分析得即即②b离子经过电压为U的电场加速后在磁场中第一次偏转打在x轴上的位置坐标为代入得故可知b离子能从栅极板(坐标范围为)任意位置经电压为的电场减速射入虚线下方的磁场,此时b离子先经过电压为U的电场加速再在第一象限磁场中做匀速圆周运动后再经过电压为的电场减速,因为根据动能定理得同时有,当时,b离子从栅极板左端经虚线下方磁场偏转打在P,此时离栅极板左端的距离为当时,b离子从栅极板右端经虚线下方磁场偏转打在P,此时离栅极板右端的距离为故b离子落在喷镀板P下表面的区域长度为(3)要求a离子落在喷镀板中点Q,由(1)可知故可得则b离子从处经过栅极板,若b离子减速一次恰好打在P板下方中央处,设,则同理可知联立解得则可得当减速n次联立得当减速n次恰好打在P板下方中央处,可得即解得即,n取整数,故可得,故可得21世纪教育网 www.21cnjy.com 精品试卷·第 2 页 (共 2 页)HYPERLINK "http://21世纪教育网(www.21cnjy.com)" 21世纪教育网(www.21cnjy.com)中小学教育资源及组卷应用平台专题07 磁场考点分类 2026年高考命题解读 创新考法考点01 磁现象和磁场 安培力 侧重基础模型与微电流产生磁场的结合,考查安培力方向的判断和大小计算,注重实际应用场景。 引入非均匀磁场或利用微元法分析非直导线问题,结合传感器等新情境考查安培力的动态变化。考点02 带电粒子在磁场中的圆周运动 聚焦带电粒子在有界磁场中的临界、极值及多解问题,强调几何关系与物理规律的深度融合。 将粒子运动与现代科技仪器(如气泡室)结合,考查螺旋运动、动量冲量及能量转换的综合分析。考点03 带电粒子在组合场(复合场)中的运动 强调电场、磁场组合的多过程分析,结合速度选择器、质谱仪等模型,考查周期性、对称性思维。 在组合场中融入光电效应、衰变等近代物理元素,探究粒子能量、轨迹与电、磁场调控的关联。【考点01 磁现象和磁场 安培力】1.(2022年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)利用如图所示装置探究匀强磁场中影响通电导线受力的因素,导线垂直匀强磁场方向放置。先保持导线通电部分的长度L不变,改变电流I的大小,然后保持电流I不变,改变导线通电部分的长度L,得到导线受到的安培力F分别与I和L的关系图象,则正确的是( )A. B.C. D.2.(2024年1月浙江省普通高校招生选考物理试题)磁电式电表原理示意图如图所示,两磁极装有极靴,极靴中间还有一个用软铁制成的圆柱。极靴与圆柱间的磁场都沿半径方向,两者之间有可转动的线圈。a、b、c和d为磁场中的四个点。下列说法正确的是( )A.图示左侧通电导线受到安培力向下 B.a、b两点的磁感应强度相同C.圆柱内的磁感应强度处处为零 D.c、d两点的磁感应强度大小相等3.(2023年高考浙江卷物理真题(6月))如图所示,质量为M、电阻为R、长为L的导体棒,通过两根长均为l、质量不计的导电细杆连在等高的两固定点上,固定点间距也为L。细杆通过开关S可与直流电源或理想二极管串接。在导体棒所在空间存在磁感应强度方向竖直向上、大小为B的匀强磁场,不计空气阻力和其它电阻。开关S接1,当导体棒静止时,细杆与竖直方向的夹角固定点;然后开关S接2,棒从右侧开始运动完成一次振动的过程中( ) A.电源电动势 B.棒消耗的焦耳热C.从左向右运动时,最大摆角小于 D.棒两次过最低点时感应电动势大小相等4.(2026年1月浙江省选考物理试题)如图所示,一根带负电的塑料棒,长为l、横截面积为S、均匀分布有N个电子(电子电荷量为)。让棒垂直于匀强磁场B,以速度v沿轴向做匀速运动。下列说法正确的是( )A.等效电流的方向与v方向相同 B.等效电流的大小C.棒产生的感应电动势 D.棒所受安培力的大小二、解答题5.(2026年1月浙江省选考物理试题)测量局域磁场,科学家基于电阻应变片开发出一种磁场检测芯片,其简化结构如图1所示。长度均为l、通有恒定电流I0。(方向相反)的两刚性金属杆ab、cd,与具有良 好弹性的绝缘悬梁OA、OD构成“H”形支架,对称固定于底座O处。在悬梁上、下表面对称安装四个相同的电阻应变片(各自引出两导线),其阻值分别为R1、R2、R3和R4,将它们 按图2方式与电动势为E的电源(不计内阻)相连。未加磁场时,支架处于水平平衡状态, 此时R1=R2=R3=R4=R0,测得e、f两端的电势差为0。现施加待测磁场,其方向水平向右、且垂直于金属杆,则金属杆ab、cd受安培力作用,使悬梁OA、OD产生形变,四个应变片的阻值发生相应变化,其变化量的绝对值均为ΔR,此时测得e、f两端的电势差为Uef,从而得到待测磁场磁感应强度B的大小。(1)判断金属杆ab和cd所受安培力的方向;(2)写出上述四个电阻的阻值(用R0和ΔR表示);(3)已知电阻变化量和所受的安培力成正比关系,且比例系数为,求与B之间的关系。【考点02 带电粒子在磁场中的圆周运动】1.(2026年1月浙江省选考物理试题)在充满液态氢的气泡室中存在方向垂直图示平面、磁感应强度为B的匀强磁场。一束射线通过气泡室,其中一个光子将一个氢原子打出一个电子(),同时自身转变为一对正负电子对。三个电子在气泡室中的径迹如图所示(氢原子和产生的质子均可视为静止),开始时,三条径迹共切于O点,其半径分别为、和。假设电子在气泡室中所受阻力大小正比于速率,比例系数为k,方向与速度方向相反。沿径迹1、2、3运动的电子速度减为0时的位置分别位于M(图中未标出)、P、Q三点。已知电子质量为me,元电荷为e,光速为c。下列说法正确的是( )A.光子的能量小于 B.光子的动量大小为C.O与P、Q的距离之比 D.沿径迹1运动的电子总路程为二、解答题2.(2022年高考浙江6月物理高考真题)离子速度分析器截面图如图所示。半径为R的空心转筒P,可绕过O点、垂直xOy平面(纸面)的中心轴逆时针匀速转动(角速度大小可调),其上有一小孔S。整个转筒内部存在方向垂直纸面向里的匀强磁场。转筒下方有一与其共轴的半圆柱面探测板Q,板Q与y轴交于A点。离子源M能沿着x轴射出质量为m、电荷量为 – q(q > 0)、速度大小不同的离子,其中速度大小为v0的离子进入转筒,经磁场偏转后恰好沿y轴负方向离开磁场。落在接地的筒壁或探测板上的离子被吸收且失去所带电荷,不计离子的重力和离子间的相互作用。(1)①求磁感应强度B的大小;②若速度大小为v0的离子能打在板Q的A处,求转筒P角速度ω的大小;(2)较长时间后,转筒P每转一周有N个离子打在板Q的C处,OC与x轴负方向的夹角为θ,求转筒转动一周的时间内,C处受到平均冲力F的大小;(3)若转筒P的角速度小于,且A处探测到离子,求板Q上能探测到离子的其他θ′的值(θ′为探测点位置和O点连线与x轴负方向的夹角)。3.(2023年高考浙江卷物理真题(6月))利用磁场实现离子偏转是科学仪器中广泛应用的技术。如图所示,Oxy平面(纸面)的第一象限内有足够长且宽度均为L、边界均平行x轴的区域Ⅰ和Ⅱ,其中区域Ⅰ存在磁感应强度大小为B1的匀强磁场,区域Ⅱ存在磁感应强度大小为B2的磁场,方向均垂直纸面向里,区域Ⅱ的下边界与x轴重合。位于处的离子源能释放出质量为m、电荷量为q、速度方向与x轴夹角为60°的正离子束,沿纸面射向磁场区域。不计离子的重力及离子间的相互作用,并忽略磁场的边界效应。(1)求离子不进入区域Ⅱ的最大速度v1及其在磁场中的运动时间t;(2)若,求能到达处的离子的最小速度v2;(3)若,且离子源射出的离子数按速度大小均匀地分布在范围,求进入第四象限的离子数与总离子数之比η。 4.(2025年高考浙江卷(6月)物理真题)利用磁偏转系统可以测量不同核反应中释放的高能粒子能量,从而研究原子核结构。如图1所示,用回旋加速器使氘原子核()获得2.74MeV动能,让其在S处撞击铝()核发生核反应,产生处于某一激发态和基态的同位素核()以及两种不同能量的质子()。产生的质子束经狭缝X沿水平直径方向射入半径为R,方向垂直纸面向里、大小为B的圆形匀强磁场区域,经偏转后打在位于磁场上方的探测板上A、D处(探测板与磁场边界相切于A点,D点与磁场圆心O处在同一竖直线上),获得如图2所示的质子动能的能谱图。(1)写出氘核撞击铝核的核反应方程;(2)求A、D的间距L;(3)若从回旋加速器引出的高能氘核流为1.0mA,求回旋加速器的输出功率;(4)处于激发态的核会发生β衰变,核反应方程是。若核质量等于核质量,电子质量为0.51MeV/c2,在上述两个核反应过程中,原子核被视为静止,求衰变释放的能量。5.(2026年1月浙江省选考物理试题)俄歇电子能谱(AES)广泛应用于材料表面成分分析。如图1所示,一束高能电子入射到样品表面,将某原子内层(如K层)的一个电子击出,形成一个空穴。随后,较外层(如L层)的一个电子跃迁至该空穴,并释放出能量,该能量可能以X光子的形式射出,也可能立即将另一核外电子(如L层或M层的电子)电离而逸出样品表面,该电子称为俄歇电子;现用电子动能的电子束轰击某样品表面,成功激发KLM俄歇过程(即初始空穴为K层、跃迁电子来自L层、逸出电子来自M层)和KLL俄歇过程(逸出电子来自L层)。已知该原子K层的电离能L层的电离能已知电子的电荷量,电子质量,光速,普朗克常量。(计算结果保留一位有效数字)请回答:(1)入射电子的德布罗意波长。(2)求射出的X光子的波长;(3)甲同学利用带电粒子在磁场中的运动规律,设计了如图2所示的测量俄歇电子动能的方案;俄歇电子从原点O垂直y轴和磁场方向进入匀强磁场,则y1=10.0cm和y2=10.5cm处被探测到,通过测得的俄歇电子的动能,求原子M层的电离能;(4)乙同学认为用带电粒子在电场中的运动规律,测出俄歇电子的动能,请你帮乙同学设计一个方案,列出所需要测量的物理量,并给出计算俄歇电子动能的表达式。【考点03 带电粒子在组合场(复合场)中的运动】1.(2023年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)某兴趣小组设计的测量大电流的装置如图所示,通有电流I的螺绕环在霍尔元件处产生的磁场,通有待测电流的直导线垂直穿过螺绕环中心,在霍尔元件处产生的磁场。调节电阻R,当电流表示数为时,元件输出霍尔电压为零,则待测电流的方向和大小分别为( )A., B.,C., D.,二、解答题2.(2022年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)如图为研究光电效应的装置示意图,该装置可用于分析光子的信息。在xOy平面(纸面)内,垂直纸面的金属薄板M、N与y轴平行放置,板N中间有一小孔O。有一由x轴、y轴和以O为圆心、圆心角为90°的半径不同的两条圆弧所围的区域Ⅰ,整个区域Ⅰ内存在大小可调、方向垂直纸面向里的匀强电场和磁感应强度大小恒为B1、磁感线与圆弧平行且逆时针方向的磁场。区域Ⅰ右侧还有一左边界与y轴平行且相距为l、下边界与x轴重合的匀强磁场区域Ⅱ,其宽度为a,长度足够长,其中的磁场方向垂直纸面向里,磁感应强度大小可调。光电子从板M逸出后经极板间电压U加速(板间电场视为匀强电场),调节区域Ⅰ的电场强度和区域Ⅱ的磁感应强度,使电子恰好打在坐标为(a+2l,0)的点上,被置于该处的探测器接收。已知电子质量为m、电荷量为e,板M的逸出功为W0,普朗克常量为h。忽略电子的重力及电子间的作用力。当频率为ν的光照射板M时有光电子逸出,(1)求逸出光电子的最大初动能Ekm,并求光电子从O点射入区域Ⅰ时的速度v0的大小范围;(2)若区域Ⅰ的电场强度大小,区域Ⅱ的磁感应强度大小,求被探测到的电子刚从板M逸出时速度vM的大小及与x轴的夹角;(3)为了使从O点以各种大小和方向的速度射向区域Ⅰ的电子都能被探测到,需要调节区域Ⅰ的电场强度E和区域Ⅱ的磁感应强度B2,求E的最大值和B2的最大值。3.(2023年1月浙江省普通高校招生选考科目考试物理试题)探究离子源发射速度大小和方向分布的原理如图所示。x轴上方存在垂直平面向外、磁感应强度大小为B的匀强磁场。x轴下方的分析器由两块相距为d、长度足够的平行金属薄板M和N组成,其中位于x轴的M板中心有一小孔C(孔径忽略不计),N板连接电流表后接地。位于坐标原点O的离子源能发射质量为m、电荷量为q的正离子,其速度方向与y轴夹角最大值为;且各个方向均有速度大小连续分布在和之间的离子射出。已知速度大小为、沿y轴正方向射出的离子经磁场偏转后恰好垂直x轴射入孔C。未能射入孔C的其它离子被分析器的接地外罩屏蔽(图中没有画出)。不计离子的重力及相互作用,不考虑离子间的碰撞。(1)求孔C所处位置的坐标;(2)求离子打在N板上区域的长度L;(3)若在N与M板之间加载电压,调节其大小,求电流表示数刚为0时的电压;(4)若将分析器沿着x轴平移,调节加载在N与M板之间的电压,求电流表示数刚为0时的电压与孔C位置坐标x之间关系式。4.(2025年1月浙江高考真题物理试题)同位素相对含量的测量在考古学中有重要应用,其测量系统如图1所示。将少量古木样品碳化、电离后,产生的离子经过静电分析仪ESA-I、磁体-I和高电压清除器,让只含有三种碳同位素、、的离子束(初速度可忽略不计)进入磁体-Ⅱ.磁体-Ⅱ由电势差为U的加速电极P,磁感应强度为B、半径为R的四分之一圆弧细管道和离子接收器F构成。通过调节U,可分离、、三种同位素,其中、的离子被接收器F所接收并计数,它们的离子数百分比与U之间的关系曲线如图2所示,而离子可通过接收器F,进入静电分析仪ESA-Ⅱ,被接收器D接收并计算。(1)写出中子与发生核反应生成,以及发生衰变生成的核反应方程式:(2)根据图2写出的离子所对应的U值,并求磁感应强度B的大小(计算结果保留两位有效数字。已知,原子质量单位,元电荷);(3)如图1所示,ESA-Ⅱ可简化为间距两平行极板,在下极板开有间距的两小孔,仅允许入射角的离子通过。求两极板之间的电势差U:(4)对古木样品,测得与离子数之比值为;采用同样办法,测得活木头中与的比值为,由于它与外部环境不断进行碳交换,该比例长期保持稳定。试计算古木被砍伐距今的时间(已知的半衰期约为5700年,)5.(2024年1月浙江省普通高校招生选考物理试题)类似光学中的反射和折射现象,用磁场或电场调控也能实现质子束的“反射”和“折射”。如图所示,在竖直平面内有三个平行区域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ;Ⅰ区宽度为d,存在磁感应强度大小为B、方向垂直平面向外的匀强磁场,Ⅱ区的宽度很小。Ⅰ区和Ⅲ区电势处处相等,分别为和,其电势差。一束质量为m、电荷量为e的质子从O点以入射角射向Ⅰ区,在P点以出射角射出,实现“反射”;质子束从P点以入射角射入Ⅱ区,经Ⅱ区“折射”进入Ⅲ区,其出射方向与法线夹角为“折射”角。已知质子仅在平面内运动,单位时间发射的质子数为N,初速度为,不计质子重力,不考虑质子间相互作用以及质子对磁场和电势分布的影响。(1)若不同角度射向磁场的质子都能实现“反射”,求d的最小值;(2)若,求“折射率”n(入射角正弦与折射角正弦的比值)(3)计算说明如何调控电场,实现质子束从P点进入Ⅱ区发生“全反射”(即质子束全部返回Ⅰ区)(4)在P点下方距离处水平放置一长为的探测板(Q在P的正下方),长为,质子打在探测板上即被吸收中和。若还有另一相同质子束,与原质子束关于法线左右对称,同时从O点射入Ⅰ区,且,求探测板受到竖直方向力F的大小与U之间的关系。6.(2024年高考6月浙江卷物理真题)探究性学习小组设计了一个能在喷镀板的上下表面喷镀不同离子的实验装置,截面如图所示。在xOy平面内,除x轴和虚线之间的区域外,存在磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外的匀强磁场,在无磁场区域内,沿着x轴依次放置离子源、长度为L的喷镀板P、长度均为L的栅极板M和N(由金属细丝组成的网状电极),喷镀板P上表面中点Q的坐标为(1.5L,0),栅极板M中点S的坐标为(3L,0),离子源产生a和b两种正离子,其中a离子质量为m,电荷量为q,b离子的比荷为a离子的倍,经电压U=kU0(其中,k大小可调,a和b离子初速度视为0)的电场加速后,沿着y轴射入上方磁场。经磁场偏转和栅极板N和M间电压UNM调控(UNM>0),a和b离子分别落在喷镀板的上下表面,并立即被吸收且电中和,忽略场的边界效应、离子受到的重力及离子间相互作用力。(1)若U=U0,求a离子经磁场偏转后,到达x轴上的位置x0(用L表示)。(2)调节U和UNM,并保持,使a离子能落到喷镀板P上表面任意位置,求:①U的调节范围(用U0表示);②b离子落在喷镀板P下表面的区域长度;(3)要求a和b离子恰好分别落在喷镀板P上下表面的中点,求U和UNM的大小。21世纪教育网 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