资源简介 (共11张PPT)晶格结构和能带晶格结构和能带III族氮化物:GaN, AlN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN,AlGaInN等禁带宽度范围:红、黄、绿、蓝和紫外光晶格结构:闪锌矿和纤锌矿dEg/dT-2.8×10-4eV/K-3.9×10-4eV/K禁带宽度Eg随温度增加而减小Eg间接能隙结构:导带底和价带顶发生在k空间的不同点如果n 型半导体导带峰值在[110]轴上及相应对称方向上,回旋共振实验结果应如何 [解] 根据立方对称性,应有下列12 个方向上的旋转椭球面:选取k1,k2,k3为三个直角坐标轴,并令k3轴沿椭球长轴方向,即[001]方向,则k1,k2轴位于(001)面内,并相互垂直。这时k1,k2轴的有效质量相同,再选取适当的k1轴,使B位于(k1,k3)平面内,并与椭球长轴夹角为θ,则在(k1,k2,k3)直角坐标系中,B的三个方向余弦分别为:代入由解析几何定理得, B 与 任取一组坐标轴k3 的夹角余弦cosθ 为:式中对不同方向的旋转椭球面取不同的一组 (k1 ,k2 ,k3 )则(1) 若B 沿[111]方向,则cosθ 可以取两组数.则(2) 若B 沿[110]方向,则cosθ 可以取三组数.B 沿[110]方向时应有三个共振吸收峰.(3) 若B 沿[100]方向,则cosθ 可以取两组数.B 沿[100]方向时应有两个共振吸收峰.(4) B 沿空间任意方向时, cosθ 最多可有六个不同值,故可以求六个mn * ,所对应的六个共振吸收峰. -SiC 晶体的能带特点间接带隙导带极小值在 X 点(X1c)价带极大值在 点( 15v)0.400.440.4824681012晶格常数 a(nm)能量E(eV)X1cL1c 15c 1c压力显著改变能带结构 -SiC 的能隙与晶格常数 a 的关系GaN晶体的能带特点直接带隙导带极小值与价带极大值在 点对纤锌矿和闪锌矿结构 展开更多...... 收起↑ 资源预览