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2024学年第二学期高三年级学业质量调研
化学学科试卷
(时间60分钟，满分100分)
考生注意：
1.本考试设试卷和答题纸两部分，所有答题必须涂或写在答题纸上；做在试卷上一律不
得分。
2.答题前，考生务必在答题纸上将学校、姓名及考号填写清楚，并在规定的区域填涂相
关信息。答题时客观题用2B铅笔涂写，主观题用黑色水笔填写。
3.选择类试题中，标注“不定项”的试题，每小题有1~2个正确选项，只有1个正确选项
的，多选不给分，有2个正确选项的，漏选1个给一半分，错选不给分：未特别标注的试
题，每小题只有1个正确选项。
4.答题纸与试卷在试题编号上是一一对应的，答题时应特别注意，不能错位。
可能用到的相对原子质量：H-1C-12N-140-16Na-23S-32
Ba-137
一、被预言的元素一镓
镓(G)是第一种先经理论预言，随后才在自然界中发现的化学元素。
1.Ga的核外电子排布式为
2.元素周期表中G位于过渡金属与主族元素的交界处，其左侧为常见金属Zn,比
较第一电离能：ZnGa(填“>”或“<”)。
3.Ga化学性质活泼，但纯净的Ga在空气中却不易被腐蚀，推测原因是
G的化合物在半导体、太阳能电池、医疗等领域都有重要应用。一种新型舍综
抗癌药物的结构如下。
4,Ga元素存在同位素，确定该配合物中Ga的同位紫种类，可采用的方法
是
A.晶体X射线衍射B.质谱
C.红外吸收光谱
D.核磁共振氢谱
5.写出上述配合物中配体的结构简式
高三化学第1页共7页
G(CH)力（三甲基镓）是用来制备含嫁半导体材料的物质，常温下为液态。
6.Ga(CH)3中Ga的杂化类型为
A.sp
B.sp2
C.sp3
7.推测Ga(CH)3熔点低的原因
第三代半导体GN常用于制造高频芯片、太阳能电池等，其晶胞为立方体结构，
如下图所示：
8.晶体结构中离Ga最近的N的数目
是
9.Ga原子半径为0122nm,N原子半径为0.075nm,
品胞中Ga原子与N原子直接接触，Ga原子和Ga
原子不直接接触，晶胞边长=nm
(保留3位小数)
10.Ga的化学性质与Al相似，加热条件下GaN溶于NaOH,当晶体有缺陷时溶解速
度加快，常用此方法来做晶体缺陷检验。请写出GaN与足量NaOH在加热条件下的
化学反应方程式
二、助力碳中和
我国提出“碳达峰”目标是在2030年前达到二氧化碳排放的最高值，2060年前达到
“碳中和”，实现二氧化碳的净零排放。因此，综合利用CO2尤为重要。
11.C02与H2催化合成乙烯：2C02(g)+6H2(g)=C2H(g)+4H2O(g),△H=_kJ·mol-1。
己知：2H2(g)+O2(g)=2H20(1)
△H=-571.6kJ·mol-l
C2H4(g)+302(g)=2C02(g）+2H2O(0)△H2=-1411kJ·mol-1
H2O(g)=H2O(1)
△H3=-44kJ·mol-
常温常压下可利用催化剂实现C02加氢制甲醇，反应历程和能量变化如下图（其中吸
附在催化剂表面上的粒子用*标注)：
1.80
1.40
1.00
0.60
COx(g)
碧
0.20+3H:(g)
反应历程
-0.20
0.60
CH,OH(g)
-1.00
+H,O(g)
-1.40
C02
HCO0◆
-1.80
+6H*
CH,O◆CH,OH
+5H◆
+O+H+OH+CH,OH
+H.0*
12.根据题中信息关于该反应是否自发进行的描述正确的是
A.低温自发
B.高温自发
C.任意温度均可自发D.任意温度均不可自发
高三化学第2页共7页

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