【高考押题卷】2025年高考化学高频易错考前冲刺 晶体结构与性质(含解析)

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【高考押题卷】2025年高考化学高频易错考前冲刺 晶体结构与性质(含解析)

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高考化学考前冲刺押题预测 晶体结构与性质
一.选择题(共20小题)
1.(2025 昆明一模)半导体材料FeSb2的立方晶胞如图所示,晶胞边长为apm,图中晶胞顶点原子的分数坐标均为(0,0,0),Y原子的分数坐标为。下列说法错误的是(  )
A.晶胞中6个Sb原子均处于晶胞内部
B.Fe处于Sb形成的八面体空隙中
C.Z原子的分数坐标为
D.Y原子与X原子之间的距离为
2.(2025 陕西一模)磷化硼是一种半导体材料,其晶胞结构如图所示。已知阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的是(  )
A.晶胞结构中,硼原子的配位数为4
B.磷化硼为分子晶体
C.硼原子与磷原子间的最短距离为nm
D.磷化硼晶体g cm﹣3
3.(2025 河北模拟)硫化钾(K2S)主要用作分析试剂、脱毛剂,也可用于医药工业。其晶体具有如图所示的反萤石结构,已知晶胞参数为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.图中X代表的是K+
B.S2﹣之间的最短距离为
C.硫化钾的密度为g cm﹣3
D.K+填充在S2﹣构成的正四面体空隙中
4.(2025 重庆模拟)化合物X是一种潜在热电材料,其晶胞结构如图1所示,沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示。X最简式的式量为M,已知晶胞参数为anm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是(  )
A.晶胞中阴离子的配位数为4
B.1个晶胞中含有2个K+
C.两个K+之间的最短距离为anm
D.晶胞密度为
5.(2024秋 吉林期末)我国古代四大发明之一的黑火药爆炸时发生的反应:
2KNO3+S+3C=K2S+N2↑+3CO2↑。生成物K2S的晶体结构如图所示。下列有关说法错误的是(  )
A.K元素位于元素周期表s区
B.K+位于S2﹣构成的四面体空隙中
C.K2S晶体中S2﹣周围最近的K+有4个
D.若K2S晶体的晶胞边长为anm,则该晶体的密度为g cm﹣3
6.(2024秋 保定期末)某立方卤化物可用于制作光电材料,其晶胞是立方体,棱长为anm(图甲),当部分K+被Eu2+取代后可获得高性能激光材料(图乙)。下列说法错误的是(  )
A.图甲中Mg2+的配位数为6
B.图甲表示的晶体的密度为
C.图乙晶胞中Mg2+的坐标(0.5,0.5,0.25)或(0.5,0.5,0.75)
D.图乙表示的化学式为KEuMg2F6
7.(2025 湖南开学)Li3PS4具有高离子导电性且可低温合成,这使其成为固态电池最有希望的电解质之一,最近研究发现,利用Li3PS4可有效激活锂硫电池Li2S正极。X射线衍射分析表明,Li2S属于立方晶胞,参数为apm,Li2S晶胞在x轴不同位置的截面图如图,下列叙述错误的是(  )
A.的空间结构为正四面体形
B.截面图中的“●”代表Li+
C.晶胞中与S2﹣紧邻的S2﹣有6个
D.晶胞中Li+的配位数为4
8.(2025 湖南校级一模)两种含汞化合物的晶胞结构如图所示,其中甲为四方晶胞结构,乙为立方晶胞结构。下列说法错误的是(  )
A.甲和乙中Hg2+的配位数之比为3:2
B.乙的化学式为HgS
C.乙中相邻的两个S2﹣之间的距离为anm
D.每个甲、乙晶胞中含有的阴离子数目不相等
9.(2024秋 西安期末)物质A因其受热分解(反应如图所示)产生W2而受到新能源汽车行业的关注。已知元素X、Y形成的一种晶体的晶胞结构如图M所示,元素X基态原子的价电子排布式为nsnnpn﹣1(n﹣1>0),X、Y同周期,且Y的基态原子是同周期中单电子数目最多的。下列有关说法正确的是(  )
A.A分子中含有配位键
B.最高价氧化物对应水化物的酸性:X>Y
C.T分子不可能所有原子共平面
D.晶体M中,X的配位数为12
10.(2024秋 辽宁期末)某铁的氧化物立方晶胞如图所示,它由A、B两种单元组成。已知晶胞边长为a。
下列有关说法错误的是(  )
A.该晶胞的最简式为Fe3O4
B.A单元沿z轴的投影图为
C.B1中M微粒的原子分数坐标为(0,0,0),则A2中N微粒(即Fe2+)的原子分数坐标为
D.A单元中相邻O2﹣间的最近距离为
11.(2025 石家庄模拟)Nb和O形成的一种化合物的晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.该化合物的化学式为NbO
B.该晶体的密度为
C.晶胞中与Nb2+等距且最近的O2﹣有4个
D.图乙是该晶体晶胞结构的另一种表示
12.(2024秋 哈尔滨期末)Li2S晶体掺杂Li3N转化成Li5NS新型晶体,该过程中晶胞的体积不变,转化过程如图所示。
已知:晶胞1和晶胞2都是立方结构,晶胞边长均为anm。
晶体密度净增率。
下列说法正确的是(  )
A.第一电离能:O>N>S
B.晶胞1中S形成的正八面体空隙有4个
C.晶胞1中距离最近的S2﹣核间距为
D.晶胞1变为晶胞2,晶体密度净增率为56.1%
13.(2024秋 吉林期末)下列比较不正确的是(  )
A.晶体熔点由低到高:F2<Cl2<Br2<I2
B.晶体熔点由高到低:金刚石>碳化硅>晶体硅
C.晶体熔点由高到低:Rb>K>Na
D.晶体熔点由高到低:NaF>NaCl>NaBr>NaI
14.(2024秋 张家口期末)含氟化合物在现代科技中有重要应用。某含氟化合物的晶胞结构如图,其中NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.该化合物的化学式为K2CuF4
B.Cu位于F构成的八面体空隙中
C.Cu与Cu之间的最短距离为
D.该晶体的密度为
15.(2024秋 武汉期末)白锡和灰锡是单质Sn的常见同素异形体。二者晶胞如图:白锡具有体心四方结构;灰锡具有立方金刚石结构。下列说法正确的是(  )
A.50Sn位于元素周期表的第5周期第ⅥA族
B.通过晶体X射线衍射实验可鉴别灰锡和白锡
C.灰锡中每个Sn原子周围与它最近且等距的Sn原子有2个
D.若白锡和灰锡的晶胞体积分别为和,则二者的密度之比是4V2:V1
16.(2025 全国模拟)科研人员在高温高压条件下合成了类金刚石结构的硼碳氮化合物,其晶胞结构如图所示,立方晶胞参数为apm。NA是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.该化合物为共价晶体,硬度大
B.晶体中与B原子距离最近且相等的B原子数为4
C.晶胞中C—C键与C—N键的数目比为2:1
D.晶体的密度
17.(2024秋 河北期末)KIO3晶体具有良好的光学性能,晶胞为立方体。已知:晶胞参数为anm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是(  )
A.与K最近且距离相等的O的数目为6
B.1个晶胞中含有2个K原子
C.K和O的最近距离为anm
D.该晶体密度ρg cm﹣3
18.(2025 内蒙古模拟)钾锰铁基普鲁士白[K2MnFe(CN)6]是一种钾离子电池正极材料,充电时随着K+脱出,其结构由Ⅰ经Ⅱ最终转变为Ⅲ;Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ的晶胞俯视图及Ⅱ的晶胞结构如图所示。下列说法正确的是(  )
A.Ⅲ转化为Ⅰ是非自发过程
B.充电过程中Fe或Mn的价态降低
C.晶体Ⅱ的化学式为KMnFe(CN)6
D.晶胞Ⅲ中π键数目为24
19.(2025 四川模拟)一种具有钙钛矿结构的光催化剂,其四方晶胞结构如图所示(α=β=γ=90°),NA是阿伏加德罗常数的值。
下列说法错误的是(  )
A.该物质的化学式为PbTiO3
B.1位和2位O2﹣的核间距为
C.晶体的密度为
D.2位O2﹣的分数坐标为
20.(2025 云南模拟)Bi4(TiO4)3是一种铁电材料,掺杂La可提高其光电转化性能,La取代部分Bi后的晶胞结构示意图(氧原子未画出)如图。下列说法错误的是(  )
A.Bi填充在Ti形成的六面体空隙中
B.该晶体的化学式为Bi2La2(TiO4)3
C.该晶胞在xy平面的投影为
D.若p点La平移至晶胞体心,则Ti位于晶胞顶点
晶体结构与性质
参考答案与试题解析
一.选择题(共20小题)
1.(2025 昆明一模)半导体材料FeSb2的立方晶胞如图所示,晶胞边长为apm,图中晶胞顶点原子的分数坐标均为(0,0,0),Y原子的分数坐标为。下列说法错误的是(  )
A.晶胞中6个Sb原子均处于晶胞内部
B.Fe处于Sb形成的八面体空隙中
C.Z原子的分数坐标为
D.Y原子与X原子之间的距离为
【答案】A
【分析】晶胞中Fe原子的位置在体心和顶点,共有1+82,根据半导体材料的化学式FeSb2可知,晶胞中Sb的个数为4,结合Y原子的分数坐标为,说明Y原子在面心上,可以得出Sb的位置内部有2个,面上有4个,个数为2+44。
【解答】解:晶胞中Fe原子的位置在体心和顶点,共有1+82,根据半导体材料的化学式FeSb2可知,晶胞中Sb的个数为4,结合Y原子的分数坐标为,说明Y原子在面心上,可以得出Sb的位置内部有2个,面上有4个,个数为2+44;
A.晶胞中6个Sb原子有2个处于晶胞内部,4个处于面上,故A错误;
B.由晶胞图可知,Fe处于6个Sb形成的八面体空隙中,故B正确;
C.根据Y原子的分数坐标为,Z原子在x方向为,y方向上位置为1,z方向上位置为,的分数坐标为,故C正确;
D.根据图示分析,Y原子与X原子之间的距离为,故D正确;
故选:A。
【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。
2.(2025 陕西一模)磷化硼是一种半导体材料,其晶胞结构如图所示。已知阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的是(  )
A.晶胞结构中,硼原子的配位数为4
B.磷化硼为分子晶体
C.硼原子与磷原子间的最短距离为nm
D.磷化硼晶体g cm﹣3
【答案】B
【分析】A.根据磷化硼的晶胞结构图可知,每个B原子与4个P原子形成4个共价键;
B.磷化硼是一种半导体材料,其晶体的微观空间里没有分子,不是分子晶体;
C.晶胞中P原子和B原子之间最短的距离为体对角线长度的,而体对角线长度等于晶胞棱长的倍;
D.根据磷化硼的晶胞结构图可知,该晶胞中B原子位于立方体内,个数为4,P原子位于顶点和面心,个数为864,则磷化硼的化学式为BP。
【解答】解:A.每个B原子与4个P原子形成4个共价键,故晶胞结构中,硼原子的配位数为4,故A正确;
B.磷化硼是一种半导体材料,其晶体的微观空间里没有分子,不是分子晶体,而是共价晶体,故B错误;
C.晶胞中P原子和B原子之间最短的距离为体对角线长度的,而体对角线长度等于晶胞棱长的倍,则P原子与B原子的最短距离为nm,故C正确;
D.该晶胞中B原子位于立方体内,个数为4,P原子位于顶点和面心,个数为864,则磷化硼的化学式为BP,晶胞质量为g,晶胞体积为(a×10﹣7)3cm3,晶胞密度g cm﹣3,故D正确;
故选:B。
【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。
3.(2025 河北模拟)硫化钾(K2S)主要用作分析试剂、脱毛剂,也可用于医药工业。其晶体具有如图所示的反萤石结构,已知晶胞参数为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.图中X代表的是K+
B.S2﹣之间的最短距离为
C.硫化钾的密度为g cm﹣3
D.K+填充在S2﹣构成的正四面体空隙中
【答案】B
【分析】K2S中,K+和S2﹣个数比为2:1,晶胞中X个数为,晶胞中Y的个数为4个,都在晶胞内部,因此X代表K+,Y代表S2﹣。
【解答】解:A.X代表的是K+,故A正确;
B.S2﹣之间的最短距离为体对角线的一半,等于,故B错误;
C.晶胞中有4个K2S,质量为g,体积为(a×10﹣10)3cm3,密度为,故C正确;
D.S2﹣离子围成1个正四面体,K+离子处于正四面体的中心,K+填充在S2﹣构成的正四面体空隙中,故D正确;
故选:B。
【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。
4.(2025 重庆模拟)化合物X是一种潜在热电材料,其晶胞结构如图1所示,沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示。X最简式的式量为M,已知晶胞参数为anm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是(  )
A.晶胞中阴离子的配位数为4
B.1个晶胞中含有2个K+
C.两个K+之间的最短距离为anm
D.晶胞密度为
【答案】D
【分析】A.顶点的阴离子在晶胞内有一个等距钾离子,由于在顶点位置,故其配位数为8;
B.结合图示可知,一个晶胞内钾离子数目为8;
C.两个钾离子的最短距离为晶胞边长的一半;
D.1个晶胞中含有4个X,每个X的质量为,据此计算。
【解答】解:A.顶点的阴离子在晶胞内有一个等距钾离子,由于在顶点位置,故其配位数为8,故A错误;
B.结合图示可知,一个晶胞内钾离子数目为8,故B错误;
C.两个钾离子的最短距离为晶胞边长的一半,即0.5ann,故C错误;
D.1个晶胞中含有4个X,每个X的质量为,晶胞的密度为,故D正确;
故选:D。
【点评】本题考查物质结构与性质,涉及化学键,晶胞计算等内容,其中晶胞计算为解题难点,需要结合均摊法进行分析,掌握基础为解题关键,整体难度适中。
5.(2024秋 吉林期末)我国古代四大发明之一的黑火药爆炸时发生的反应:
2KNO3+S+3C=K2S+N2↑+3CO2↑。生成物K2S的晶体结构如图所示。下列有关说法错误的是(  )
A.K元素位于元素周期表s区
B.K+位于S2﹣构成的四面体空隙中
C.K2S晶体中S2﹣周围最近的K+有4个
D.若K2S晶体的晶胞边长为anm,则该晶体的密度为g cm﹣3
【答案】C
【分析】A.分析可知,K位于第四周期第IA族;
B.结合图示可知,K+位于S2﹣构成的四面体空隙;
C.结合图示可知K2S晶体中,K+周围距离最近的S2﹣有4个,则S2﹣周围最近的K+有8个;
D.晶胞边长为anm,晶胞体积为(a×10﹣7)3cm3,晶胞中K原子数目为8,结合化学式,S原子数目为4,据此计算。
【解答】解:A.分析可知,K位于第四周期第IA族,为元素周期表s区,故A正确;
B.结合图示可知,K+位于S2﹣构成的四面体空隙,故B正确;
C.结合图示可知K2S晶体中,K+周围距离最近的S2﹣有4个,则S2﹣周围最近的K+有8个,故C错误;
D.晶胞边长为anm,晶胞体积为(a×10﹣7)3cm3,晶胞中K原子数目为8,结合化学式,S原子数目为4,晶胞密度g cm﹣3,故D正确;
故选:C。
【点评】本题考查物质结构与性质,涉及晶胞计算内容,其中晶胞计算为解题难点,需要结合均摊法进行分析,掌握基础为解题关键,整体难度适中。
6.(2024秋 保定期末)某立方卤化物可用于制作光电材料,其晶胞是立方体,棱长为anm(图甲),当部分K+被Eu2+取代后可获得高性能激光材料(图乙)。下列说法错误的是(  )
A.图甲中Mg2+的配位数为6
B.图甲表示的晶体的密度为
C.图乙晶胞中Mg2+的坐标(0.5,0.5,0.25)或(0.5,0.5,0.75)
D.图乙表示的化学式为KEuMg2F6
【答案】D
【分析】A.分析图示可知,甲中Mg2+的配位数为6;
B.晶胞中含有1个K+、3个F﹣和1个Mg2+,1个晶胞的总质量为g,晶胞的体积为a3×10﹣21cm3;
C.镁位于分割的立方体体心;
D.在垂直的棱心处的4个K+只能被2个Eu2+取代,有两个空位。
【解答】解:A.分析图示可知,甲中Mg2+的配位数为6,故A正确;
B.晶胞中含有1个K+、3个F﹣和1个Mg2+,1个晶胞的总质量为g,晶胞的体积为a3×10﹣21cm3,因此晶体的密度为,故B正确;
C.镁位于分割的立方体体心,晶胞中Mg2+的坐标(0.5,0.5,0.25)或(0.5,0.5,0.75),故C正确;
D.在垂直的棱心处的4个K+只能被2个Eu2+取代,有两个空位,因此图2所表示物质的化学式为K2EuMg4F12,故D错误;
故选:D。
【点评】本题考查物质结构与性质,涉及化学键,晶胞计算等内容,其中晶胞计算为解题难点,需要结合均摊法进行分析,掌握基础为解题关键,整体难度适中。
7.(2025 湖南开学)Li3PS4具有高离子导电性且可低温合成,这使其成为固态电池最有希望的电解质之一,最近研究发现,利用Li3PS4可有效激活锂硫电池Li2S正极。X射线衍射分析表明,Li2S属于立方晶胞,参数为apm,Li2S晶胞在x轴不同位置的截面图如图,下列叙述错误的是(  )
A.的空间结构为正四面体形
B.截面图中的“●”代表Li+
C.晶胞中与S2﹣紧邻的S2﹣有6个
D.晶胞中Li+的配位数为4
【答案】C
【分析】A.的价层电子对数为,的空间结构为正四面体形;
B.结合题意可知,截面图中的“●”代表Li+;
C.结合题意可知,晶胞中与S2﹣紧邻的S2﹣有12个;
D.结合题意可知,晶胞中Li+的配位数为4。
【解答】解:A.结合题干可知,Li2S的晶胞结构如图所示:,的价层电子对数为,的空间结构为正四面体形,故A正确;
B.结合题意可知,截面图中的“●”代表Li+,故B正确;
C.结合题意可知,晶胞中与S2﹣紧邻的S2﹣有12个,故C错误;
D.结合题意可知,晶胞中Li+的配位数为4,故D正确,
故选:C。
【点评】本题考查物质结构与性质,涉及化学键,晶胞计算等内容,其中晶胞计算为解题难点,需要结合均摊法进行分析,掌握基础为解题关键,整体难度适中。
8.(2025 湖南校级一模)两种含汞化合物的晶胞结构如图所示,其中甲为四方晶胞结构,乙为立方晶胞结构。下列说法错误的是(  )
A.甲和乙中Hg2+的配位数之比为3:2
B.乙的化学式为HgS
C.乙中相邻的两个S2﹣之间的距离为anm
D.每个甲、乙晶胞中含有的阴离子数目不相等
【答案】C
【分析】根据甲中Hg2+位于Cl﹣构成的正八面体的体心,其配位数为6,阴离子Cl﹣数目为3,乙中面心的Hg2+位于的4个S2﹣围成的四面体的中心,配位数为4,阴离子S2﹣数目为4,进行分析。
【解答】解:A.乙中面心的Hg2+位于的4个S2﹣围成的四面体的中心,配位数为4,甲中Hg2+位于Cl﹣构成的正八面体的体心,其配位数为6,则甲和乙中Hg2+的配位数之比为3:2,故A正确;
B.乙晶胞中含Hg2+个数为,含S2﹣个数为4,则其化学式为HgS,故B正确;
C.乙晶胞中,4个S2﹣位于互不相邻的小正方体的体心,相邻两个S2﹣之间的距离等于面对角线长的,即为anm,故C错误;
D.乙晶胞中,阴离子S2﹣数目为4,甲晶胞中,阴离子Cl﹣数目为3,则每个甲、乙晶胞中含有的阴离子数目不相等,故D正确;
故选:C。
【点评】本题主要考查晶胞的计算等,注意完成此题,可以从题干中抽取有用的信息,结合已有的知识进行解题。
9.(2024秋 西安期末)物质A因其受热分解(反应如图所示)产生W2而受到新能源汽车行业的关注。已知元素X、Y形成的一种晶体的晶胞结构如图M所示,元素X基态原子的价电子排布式为nsnnpn﹣1(n﹣1>0),X、Y同周期,且Y的基态原子是同周期中单电子数目最多的。下列有关说法正确的是(  )
A.A分子中含有配位键
B.最高价氧化物对应水化物的酸性:X>Y
C.T分子不可能所有原子共平面
D.晶体M中,X的配位数为12
【答案】A
【分析】元素X基态原子的价电子排布式为nsnnpn﹣1(n﹣1>0),则n=2,元素X基态原子的价电子排布式为2s22p1,X为B,X、Y同周期,都为第二周期元素,且Y的基态原子是第二周期中单电子数目最多的,Y为N,W只连接1个共价键,且A受热分解产生W2,W为H元素,以此解答。
【解答】解:A.A分子中B原子含有空轨道,N原子含有1个孤电子对,B原子和N原子之间形成了1个配位键,故A正确;
B.非金属性:N>B,元素非金属性越强,最高价氧化物对应水化物的酸性越强,则酸性:HNO3>H3BO3,故B错误;
C.T分子中B原子和N原子都形成双键,二者都是sp2杂化,T分子是平面的结构,所有原子共平面,故C错误;
D.由晶胞结构可知,以晶胞内一个B原子为中心,周围有4个N原子,则B的配位数为4,故D错误;
故选:A。
【点评】本题考查元素推断和化学键,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。
10.(2024秋 辽宁期末)某铁的氧化物立方晶胞如图所示,它由A、B两种单元组成。已知晶胞边长为a。
下列有关说法错误的是(  )
A.该晶胞的最简式为Fe3O4
B.A单元沿z轴的投影图为
C.B1中M微粒的原子分数坐标为(0,0,0),则A2中N微粒(即Fe2+)的原子分数坐标为
D.A单元中相邻O2﹣间的最近距离为
【答案】C
【分析】A.根据该晶胞含有4个A单元和4个B单元,A单元化学式为Fe1.5O4,B单元化学式为Fe4.5O4,进行分析;
B.根据沿z轴的投影图进行分析;
C.根据A、B两种单元的边长相等,B1中M微粒的原子分数坐标为(0,0,0),进行分析;
D.根据相邻O2﹣间的最近距离为A单元面对角线的一半进行分析。
【解答】解:A.该晶胞含有4个A单元和4个B单元,B单元化学式为Fe4.5O4,A单元化学式为Fe1.5O4,1个晶胞中含有24个Fe、32个O,最简式为Fe3O4,故A正确;
B.A单元沿z轴的投影图为,故B正确;
C.A、B两种单元的边长相等,B1中M微粒的原子分数坐标为(0,0,0),则A2中N微粒的原子分数坐标为,故C错误;
D.A单元的边长为0.5a,相邻O2﹣间的最近距离为A单元面对角线的一半,即,故D正确;
故选:C。
【点评】本题主要考查晶胞的计算等,注意完成此题,可以从题干中抽取有用的信息,结合已有的知识进行解题。
11.(2025 石家庄模拟)Nb和O形成的一种化合物的晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.该化合物的化学式为NbO
B.该晶体的密度为
C.晶胞中与Nb2+等距且最近的O2﹣有4个
D.图乙是该晶体晶胞结构的另一种表示
【答案】B
【分析】A.根据均摊原则进行分析;
B.根据晶体的密度计算式进行分析;
C.根据晶胞中与Nb2+等距且最近的O2﹣有4个进行分析;
D.根据该晶体O原子在面心建立的晶胞结构进行分析。
【解答】解:A.根据均摊原则,晶胞中O原子数为,Nb原子数为、化学式为NbO,故A正确;
B.该晶体的密度为g cm﹣3,故B错误;
C.根据图示,该化合物的晶胞中与Nb2+等距且最近的O2﹣有4个,故C正确;
D.图乙是该化合物晶体O原子在面心建立的晶胞结构,故D正确;
故选:B。
【点评】本题主要考查晶胞的计算等,注意完成此题,可以从题干中抽取有用的信息,结合已有的知识进行解题。
12.(2024秋 哈尔滨期末)Li2S晶体掺杂Li3N转化成Li5NS新型晶体,该过程中晶胞的体积不变,转化过程如图所示。
已知:晶胞1和晶胞2都是立方结构,晶胞边长均为anm。
晶体密度净增率。
下列说法正确的是(  )
A.第一电离能:O>N>S
B.晶胞1中S形成的正八面体空隙有4个
C.晶胞1中距离最近的S2﹣核间距为
D.晶胞1变为晶胞2,晶体密度净增率为56.1%
【答案】B
【分析】A.由于N的价电子排布为半满结构,故第一电离能大于O,O与S同主族,O的第一电离能大于S;
B.晶报1中S原子共有864个,S位于面心和顶点;
C.晶胞1中距离最近的S2﹣核间距为面对角线的一半;
D.因为晶胞1和晶胞2都是立方结构,晶胞边长均为a nm,晶体密度净增率等于晶胞质量的净增率,晶胞1含有4个Li2S,质量为g,晶胞2含有4个Li5NS,质量为g,净增率100%。
【解答】解:A.由于N的价电子排布为半满结构,故第一电离能大于O,O与S同主族,O的第一电离能大于S,故第一电离能:N>O>S,故A错误;
B.晶报1中S原子共有864个,S位于面心和顶点,故正八面体空隙共有4个,故B正确;
C.晶胞1中距离最近的S2﹣核间距为面对角线的一半,即为anm,故C错误;
D.因为晶胞1和晶胞2都是立方结构,晶胞边长均为a nm,晶体密度净增率等于晶胞质量的净增率,晶胞1含有4个Li2S,质量为g,晶胞2含有4个Li5NS,质量为g,净增率100%=76.1%,故D错误;
故选:B。
【点评】本题主要考查晶胞的计算,为高频考点,题目难度一般。
13.(2024秋 吉林期末)下列比较不正确的是(  )
A.晶体熔点由低到高:F2<Cl2<Br2<I2
B.晶体熔点由高到低:金刚石>碳化硅>晶体硅
C.晶体熔点由高到低:Rb>K>Na
D.晶体熔点由高到低:NaF>NaCl>NaBr>NaI
【答案】C
【分析】A.相对分子质量越大,范德华力越大,晶体熔点越高;
B.共价键键长越短,键能越大;
C.Na、K、Rb均属于金属晶体,熔点与金属键的强弱有关,金属原子的价层电子数越多、半径越小,金属键越强,熔点越高;
D.离子晶体中离子所带电荷数越多,离子间距越小,离子键越强,熔点越高。
【解答】解:A.卤素单质的晶体都属于分子晶体,熔化时破坏的是范德华力,相对分子质量越大,范德华力越大,相对分子质量F2<Cl2<Br2<I2,则晶体熔点由低到高的顺序为F2<Cl2<Br2<I2,故A正确;
B.共价键键长越短,键能越大,共价晶体的熔点越大,键长:C—C键<Si—C键<Si—Si键,故熔点由大到小:金刚石>碳化硅>晶体硅,故B正确;
C.Na、K、Rb均属于金属晶体,熔点与金属键的强弱有关,金属原子的价层电子数越多、半径越小,金属键越强,熔点越高,Na、K、Rb原子的价层电子数相同,原子半径由大到小的顺序为Rb>K>Na,故熔点由低到高的顺序为Rb<K<Na,故C错误;
D.离子晶体中离子所带电荷数越多,离子间距越小,离子键越强,熔点越高,晶体熔点由高到低:NaF>NaCl>NaBr>NaI,故D正确;
故选:C。
【点评】本题考查了晶体的结构与性质,明确晶体类型及晶体熔沸点高低影响因素是解本题关键,熟悉常见物质的晶体类型,侧重于考查学生的分析能力和应用能力,题目难度不大。
14.(2024秋 张家口期末)含氟化合物在现代科技中有重要应用。某含氟化合物的晶胞结构如图,其中NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.该化合物的化学式为K2CuF4
B.Cu位于F构成的八面体空隙中
C.Cu与Cu之间的最短距离为
D.该晶体的密度为
【答案】C
【分析】A.根据均摊法计算原子个数;
B.F位于体心Cu的上下左右前后;
C.由晶胞结构可知Cu与Cu之间的最短距离为相邻两顶点的距离;
D.每个晶胞的体积为a2b×10﹣30cm3,每个晶胞的质量为gg,根据ρ计算晶体的密度。
【解答】解:A.由图可知,Cu位于顶点和体心,个数为,K位于棱上和体内,个数为,F位于棱上、面上和体内,个数为,Cu:K:F=2:4:8=1:2:4,则该化合物的化学式为K2CuF4,故A正确;
B.F位于体心Cu的上下左右前后,即Cu位于F构成的八面体空隙中,故B正确;
C.由晶胞结构可知Cu与Cu之间的最短距离为相邻两顶点的距离,即为apm,故C错误;
D.每个晶胞的体积为a2b×10﹣30cm3,每个晶胞的质量为gg,该晶体的密度ρ g cm﹣3g cm﹣3,故D正确;
故选:C。
【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。
15.(2024秋 武汉期末)白锡和灰锡是单质Sn的常见同素异形体。二者晶胞如图:白锡具有体心四方结构;灰锡具有立方金刚石结构。下列说法正确的是(  )
A.50Sn位于元素周期表的第5周期第ⅥA族
B.通过晶体X射线衍射实验可鉴别灰锡和白锡
C.灰锡中每个Sn原子周围与它最近且等距的Sn原子有2个
D.若白锡和灰锡的晶胞体积分别为和,则二者的密度之比是4V2:V1
【答案】B
【分析】A.Sn是50号元素,价层电子排布式为5s25p2;
B.X射线衍射实验可测定晶体结构;
C.由灰锡结构图可知,每个Sn原子连接4个Sn原子;
D.根据ρ计算灰锡和白锡的密度。
【解答】解:A.Sn是50号元素,价层电子排布式为5s25p2,位于元素周期表中第五周期第ⅣA族,故A错误;
B.X射线衍射实验可测定晶体结构,可通过晶体X射线衍射实验可鉴别灰锡和白锡,故B正确;
C.由灰锡结构图可知,每个Sn原子连接4个Sn原子,即每个Sn原子周围与它最近且等距的Sn原子有4个,故C错误;
D.由白锡的晶胞图可知,Sn原子位于顶点和体心,个数为81=2;由灰锡晶胞图可知,Sn原子为顶点、面上和体内,个数为864=8,由ρ可知,白锡和灰锡的密度之比为:V2:4V1,故D错误;
故选:B。
【点评】本题主要考查物质结构与性质的相关知识,涉及核外电子排布、晶胞结构与计算等知识,属于基本知识的考查,题目难度中等。
16.(2025 全国模拟)科研人员在高温高压条件下合成了类金刚石结构的硼碳氮化合物,其晶胞结构如图所示,立方晶胞参数为apm。NA是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(  )
A.该化合物为共价晶体,硬度大
B.晶体中与B原子距离最近且相等的B原子数为4
C.晶胞中C—C键与C—N键的数目比为2:1
D.晶体的密度
【答案】C
【分析】A.硼碳氮化合物具有类金刚石结构;
B.以右下方的B为坐标原点,将晶胞平移,则B原子位于晶胞顶点和前后2个面的面心上;
C.由图可知,体内右后上方的C原子连接2个C原子和2个N原子;
D.根据均摊法计算原子个数,根据ρ计算晶体密度。
【解答】解:A.硼碳氮化合物具有类金刚石结构,金刚石为共价晶体,则该硼碳氮化合物也为共价晶体,硬度大,故A正确;
B.以右下方的B为坐标原点,将晶胞平移,则B原子位于晶胞顶点和前后2个面的面心上,距面心最近且相等的B原子数位于顶点,个数为4,故B正确;
C.由图可知,体内右后上方的C原子连接2个C原子和2个N原子,C—C键与C—N键的数目比为1:1,故C错误;
D.由图可知,N原子位于顶点和面心,个数为822,C原子位于体内和面上,个数为42=4,2个B原子位于体内,晶胞质量为gg,晶胞体积为a3×10﹣30cm3,晶体密度ρg cm﹣3g cm﹣3,故D正确;
故选:C。
【点评】本题考查晶胞结构与性质,掌握晶胞平移和计算是关键,题目难度较大。
17.(2024秋 河北期末)KIO3晶体具有良好的光学性能,晶胞为立方体。已知:晶胞参数为anm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是(  )
A.与K最近且距离相等的O的数目为6
B.1个晶胞中含有2个K原子
C.K和O的最近距离为anm
D.该晶体密度ρg cm﹣3
【答案】D
【分析】A.根据图知,K位于顶点上,O位于面心上,I位于体心上,与K最近且距离相等的O个数为;
B.晶胞中K原子的个数为8;
C.K、O的最近距离为面对角线长度的一半;
D.该晶胞中K原子的个数为81、I原子个数为1、O原子个数为63,晶胞体积为(a×10﹣7cm)3,晶体的密度为。
【解答】解:A.根据图知,K位于顶点上,O位于面心上,I位于体心上,与K最近且距离相等的O个数为12,故A错误;
B.晶胞中K原子的个数为81,故B错误;
C.K、O的最近距离为面对角线长度的一半,为nm,故C错误;
D.该晶胞中K原子的个数为81、I原子个数为1、O原子个数为63,晶胞体积为(a×10﹣7cm)3,晶体的密度为g/cm3,故D正确;
故选:D。
【点评】本题考查晶胞的计算,侧重考查分析、判断及知识综合运用能力,明确晶胞中各原子的位置、密度的计算方法是解本题关键,题目难度不大。
18.(2025 内蒙古模拟)钾锰铁基普鲁士白[K2MnFe(CN)6]是一种钾离子电池正极材料,充电时随着K+脱出,其结构由Ⅰ经Ⅱ最终转变为Ⅲ;Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ的晶胞俯视图及Ⅱ的晶胞结构如图所示。下列说法正确的是(  )
A.Ⅲ转化为Ⅰ是非自发过程
B.充电过程中Fe或Mn的价态降低
C.晶体Ⅱ的化学式为KMnFe(CN)6
D.晶胞Ⅲ中π键数目为24
【答案】C
【分析】A.Ⅲ转化为Ⅰ是放电过程;
B.钾锰铁基普鲁士白[K2MnFe(CN)6]是一种钾离子电池正极材料,充电时K+脱出;
C.根据均摊法计算原子个数;
D.晶胞Ⅲ的化学式为MnFe(CN)6,CN﹣中含有2个π键。
【解答】解:A.Ⅲ转化为Ⅰ是放电过程,为自发过程,故A错误;
B.钾锰铁基普鲁士白[K2MnFe(CN)6]是一种钾离子电池正极材料,充电时K+脱出,充电时正极失电子,发生氧化反应,Fe或Mn的价态升高,故B错误;
C.由图Ⅱ晶胞可知,4个K位于体内,MnN6位于顶点和面心,个数为864,FeC6位于棱心和体心,个数为121=4,K:MnN6:FeC6=4:4:4=1:1:1,其化学式KMnFe(CN)6,故C正确;
D.晶胞Ⅲ的化学式为MnFe(CN)6,CN﹣中含有2个π键,π键总数目为2×6×4=48,故D错误;
故选:C。
【点评】本题考查晶胞结构与计算,理解晶胞结构是关键,题目难度中等。
19.(2025 四川模拟)一种具有钙钛矿结构的光催化剂,其四方晶胞结构如图所示(α=β=γ=90°),NA是阿伏加德罗常数的值。
下列说法错误的是(  )
A.该物质的化学式为PbTiO3
B.1位和2位O2﹣的核间距为
C.晶体的密度为
D.2位O2﹣的分数坐标为
【答案】C
【分析】A.晶胞中Pb2+的个数为81,O2﹣的个数为63,Ti4+的个数为1;
B.1位和2位O2﹣的核间距为pmpm;
C.晶胞的质量为g,晶胞的体积1.1a3×10﹣30cm3,代入公式ρ可得晶胞的密度;
D.2位O2﹣的分数坐标为(,0,)。
【解答】解:A.晶胞中Pb2+的个数为81,O2﹣的个数为63,Ti4+的个数为1,因此该物质的化学式为PbTiO3,故A正确;
B.1位和2位O2﹣的核间距为pmpm,故B正确;
C.晶胞的质量为g,晶胞的体积1.1a3×10﹣30cm3,晶胞的密度为ρg cm﹣3,故C错误;
D.2位O2﹣的分数坐标为(,0,),故D正确;
故选:C。
【点评】本题主要考查晶体的计算,为高频考点,题目难度一般。
20.(2025 云南模拟)Bi4(TiO4)3是一种铁电材料,掺杂La可提高其光电转化性能,La取代部分Bi后的晶胞结构示意图(氧原子未画出)如图。下列说法错误的是(  )
A.Bi填充在Ti形成的六面体空隙中
B.该晶体的化学式为Bi2La2(TiO4)3
C.该晶胞在xy平面的投影为
D.若p点La平移至晶胞体心,则Ti位于晶胞顶点
【答案】D
【分析】A.Bi4(TiO4)3铁电材料掺杂La后变为Bi2La2(TiO4)3,可知最左或最右的Bi被La取代,Bi位于正方体的体心;
B.根据均摊法计算原子个数;
C.该晶胞在xy平面进行投影时,棱上的Ti、Bi、La投影在四个角,体内的La、Ti、Bi投影在面心;
D.若p点La平移至晶胞体心,相当于该晶胞中右侧顶点的Ti沿z轴向左移至如图标红色的La原子位置,。
【解答】解:A.Bi4(TiO4)3铁电材料掺杂La后变为Bi2La2(TiO4)3,可知最左或最右的Bi被La取代,Bi位于正方体的体心,正方体为六面体,Bi填充在Ti形成的六面体空隙中,故A正确;
B.Bi位于棱上和体内,个数为82=4,Ti位于棱上、顶点和体内,个数为883=6,La位于棱上和体内,个数为82=4,Ti:Bi:La=4:4:6=2:2:3,根据Bi4(TiO4)3可知,该晶体的化学式为Bi2La2(TiO4)3,故B正确;
C.该晶胞在xy平面进行投影时,棱上的Ti、Bi、La投影在四个角,体内的La、Ti、Bi投影在面心,即该晶胞在xy平面的投影为,故C正确;
D.若p点La平移至晶胞体心,相当于该晶胞中右侧顶点的Ti沿z轴向左移至如图标红色的La原子位置,,即La位于晶胞顶点,故D错误;
故选:D。
【点评】本题考查晶胞计算,注意掌握均摊法在晶胞计算中的应用方法,试题知识点解答、综合性较强,充分考查了学生的分析、理解能力及综合应用能力,题目难度较大。
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